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1. (WO2018076268) STRUCTURE POUR TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE LADITE STRUCTURE

Pub. No.:    WO/2018/076268    International Application No.:    PCT/CN2016/103724
Publication Date: Fri May 04 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Oct 29 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/78
H01L 21/336
Applicants: HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.
华为技术有限公司
Inventors: QIN, Xudong
秦旭东
XU, Huilong
徐慧龙
ZHANG, Chenxiong
张臣雄
Title: STRUCTURE POUR TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE LADITE STRUCTURE
Abstract:
Des modes de réalisation de la présente invention concernent une structure pour un transistor à effet de champ et un procédé de préparation de ladite structure. La structure pour un transistor à effet de champ comprend : une électrode de grille inférieure, une couche diélectrique de grille inférieure, une couche de tranchée de nanorubans, une source et un drain, une couche diélectrique de grille supérieure et une électrode de grille supérieure. La couche de tranchée de nanorubans est constituée de multiples nanorubans de graphène à double couche parallèles séparés, la couche de tranchée de nanorubans recouvre la surface supérieure de la couche diélectrique de grille inférieure et est en contact avec la surface supérieure de la couche diélectrique de grille inférieure. La présente structure pour un transistor à effet de champ et son procédé de préparation réduisent efficacement l'impact du centre de charge diélectrique de grille sans sacrifier le courant à l'état passant, ce qui facilite la mise hors tension d'un dispositif et améliore le rapport marche-arrêt du dispositif.