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1. (WO2018076239) EFFACEMENT DE CELLULES DE MÉMOIRE
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N° de publication : WO/2018/076239 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/103586
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 27.10.2016
CIB :
G11C 11/34 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC.[US/US]; P.O. Box 6 8000 South Federal Way Boise, Idaho 83716, US
Inventeurs : XU, Jun; CN
Mandataire : LEE AND LI - LEAVEN IPR AGENCY LTD.; Unit 2202, Tower A, Beijing Marriott Center No. 7 Jian Guo Men South Avenue Beijing 100005, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ERASING MEMORY CELLS
(FR) EFFACEMENT DE CELLULES DE MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN) Apparatus and methods of operating such apparatus include applying a first voltage level to a source connected to a first end of a string of series-connected memory cells, applying a second voltage level to a data line connected to a second end of the string of series-connected memory cells, and applying a third voltage level to a first access line coupled to a first memory cell of the string of series-connected memory cells concurrently with applying the first and second voltage levels, wherein the magnitude of the third voltage level is greater than the magnitude of both the first voltage level and the second voltage level, and wherein a polarity and the magnitude of the third voltage level are expected to decrease a threshold voltage of the first memory cell when concurrently applying the first, second and third voltage levels.
(FR) L'invention concerne un appareil et des procédés de fonctionnement d'un tel appareil qui consistent à appliquer un premier niveau de tension à une source reliée à une première extrémité d'une chaîne de cellules de mémoire reliées en série, à appliquer un second niveau de tension à une ligne de données reliée à une seconde extrémité de la chaîne de cellules de mémoire reliées en série, et à appliquer un troisième niveau de tension à une première ligne d'accès couplée à une première cellule de mémoire de la chaîne de cellules de mémoire reliées en série simultanément à l'application des premier et second niveaux de tension, l'amplitude du troisième niveau de tension étant supérieure à l'amplitude du premier niveau de tension et du deuxième niveau de tension, et une polarité et l'amplitude du troisième niveau de tension étant appelés à diminuer une tension de seuil de la première cellule de mémoire lors de l'application simultanée des premier, deuxième et troisième niveaux de tension.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)