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1. (WO2018076152) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE TRANCHES DE SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication :    WO/2018/076152    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/103151
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 25.10.2016
CIB :
B08B 3/12 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC. [CN/CN]; Bld. 4, No. 1690 Cailun Road, Zhangjiang High-Tech Park Shanghai 201203 (CN)
Inventeurs : WANG, Hui; (CN).
WANG, Xi; (CN).
CHU, Zhenming; (CN).
CHEN, Fuping; (CN)
Mandataire : SHANGHAI PATENT & TRADEMARK LAW OFFICE, LLC; 435 Guiping Road Shanghai 200233 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING SEMICONDUCTOR WAFERS
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE TRANCHES DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus for cleaning a semiconductor wafer comprises a chuck (106), an ultra or mega sonic device, an actuator (113), at least one dispenser (108, 209) and a rotating driving mechanism (111). The chuck (106) holds the semiconductor wafer (105). The actuator (113) drives the ultra or mage sonic device to a position above the surface of the semiconductor wafer (105) and a gap is formed between the ultra or mega sonic device and the surface of the semiconductor wafer (105). The at least one dispenser (108, 209) sprays cleaning liquid on the surface of the semiconductor wafer (105). The rotating driving mechanism drives the chuck (106) to rotate at a spin speed lower than a set spin speed for ensuring that the gap between the ultra or mega sonic device and the surface of the semiconductor wafer (105) is fully and continuously filled with the cleaning liquid (104), making the ultra or mega sonic energy be stably transferred to the entire surface of the semiconductor wafer (105) through the cleaning liquid (104). A method for cleaning a semiconductor wafer is also disclosed.
(FR)La présente invention concerne un appareil de nettoyage d'une tranche de semi-conducteur comprenant un mandrin (106), un dispositif ultrasonore ou mégasonore, un actionneur (113), au moins un distributeur (108, 209) et un mécanisme d'entraînement rotatif (111). Le mandrin (106) maintient la tranche de semi-conducteur (105). L'actionneur (113) entraîne le dispositif ultrasonore ou mégasonore à une position au-dessus de la surface de la tranche de semi-conducteur (105) et un espace est formé entre le dispositif ultrasonore ou mégasonore et la surface de la tranche de semi-conducteur (105). Le ou les distributeurs (108, 209) pulvérisent un liquide de nettoyage sur la surface de la tranche de semi-conducteur (105). Le mécanisme d'entraînement rotatif entraîne le mandrin (106) à tourner à une vitesse de rotation inférieure à une vitesse de rotation définie pour assurer que l'espace entre le dispositif ultrasonore ou mégasonore et la surface de la tranche de semi-conducteur (105) soit entièrement et en continu rempli avec le liquide de nettoyage (104), permettant à l'énergie ultrasonore ou mégasonore d'être transférée de manière stable à la totalité de la surface de la tranche de semi-conducteur (105) à travers le liquide de nettoyage (104). L'invention concerne également un procédé de nettoyage d'une tranche de semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)