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1. (WO2018067885) IMAGERIE TRIDIMENSIONNELLE POUR INSPECTION DE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication :    WO/2018/067885    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/055436
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 05.10.2017
CIB :
H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035 (US)
Inventeurs : KOLCHIN, Pavel; (US).
DANEN, Robert; (US).
MEASOR, Philip; (US)
Mandataire : MCANDREWS, Kevin; (US).
MORRIS, Elizabeth M. N.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/405,435 07.10.2016 US
15/683,077 22.08.2017 US
Titre (EN) THREE-DIMENSIONAL IMAGING FOR SEMICONDUCTOR WAFER INSPECTION
(FR) IMAGERIE TRIDIMENSIONNELLE POUR INSPECTION DE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)Methods and systems for improved detection and classification of defects of interest (DOI) on semiconductor wafers based on three-dimensional images are described herein. Three dimensional imaging of volumes of thick, layered structures enables accurate defect detection and estimation of defect location in three dimensions at high throughput. A series of images are acquired at a number of different wafer depths. A three dimensional image of a thick semiconductor structure is generated from the series of images. Defects are identified and classified based on an analysis of the three dimensional image of the thick semiconductor structure. In some examples, the three-dimensional image stack is visualized by contour plots or cross-sectional plots to identify a characteristic defect response. In some examples, the three-dimensional image is processed algorithmically to identify and classify defects. In another aspect, the location of a defect is estimated in three dimenstions based on the three dimensional image.
(FR)L'invention concerne des procédés et des systèmes pour la détection et la classification améliorées de défauts d'intérêt (DOI) sur des tranches de semi-conducteur en fonction d'images tridimensionnelles. L'imagerie tridimensionnelle de volumes de structures épaisses en couches permet une détection précise de défauts et une estimation de l'emplacement des défauts en trois dimensions à une grande vitesse. Une série d'images est acquise à un certain nombre de différentes profondeurs de tranche. Une image tridimensionnelle d'une structure épaisse de semi-conducteur est produite à partir de la série d'images. Des défauts sont identifiés et classifiés en fonction d'une analyse de l'image tridimensionnelle de la structure épaisse de semi-conducteur. Dans certains exemples, l'empilement d'images tridimensionnelles est visualisé par des tracés de contour ou des tracés de section transversale pour identifier une réponse de défaut caractéristique. Dans certains exemples, l'image tridimensionnelle est traitée de manière algorithmique pour identifier et classifier des défauts. Selon un autre aspect, l'emplacement d'un défaut est estimé en trois dimensions en fonction de l'image tridimensionnelle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)