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1. (WO2018067881) ÉVIDEMENT LATÉRAL DE SIN SÉLECTIF

Pub. No.:    WO/2018/067881    International Application No.:    PCT/US2017/055431
Publication Date: Fri Apr 13 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/3065
H01L 21/67
H01L 21/311
H01L 21/02
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC.
Inventors: CHEN, Zhijun
HUANG, Jiayin
WANG, Anchuan
INGLE, Nitin
Title: ÉVIDEMENT LATÉRAL DE SIN SÉLECTIF
Abstract:
Selon la présente invention, des exemples de procédés de gravure latérale de nitrure de silicium (SIN) peuvent comprendre l'écoulement d'un précurseur contenant du fluor et d'un précurseur contenant de l'oxygène dans une région de plasma distante d'une chambre de traitement de semi-conducteur. Ces procédés peuvent comprendre la formation d'un plasma à l'intérieur de la région de plasma distante pour générer des effluents de plasma du précurseur contenant du fluor et du précurseur contenant de l'oxygène. Ces procédés peuvent consister à faire s'écouler les effluents de plasma dans une région de traitement de la chambre de traitement de semi-conducteur. Un substrat peut être positionné à l'intérieur de la région de traitement, et le substrat peut comprendre une tranchée formée à travers des couches empilées comprenant des couches alternées de nitrure de silicium et d'oxyde de silicium. Ces procédés peuvent également comprendre la gravure latérale des couches de nitrure de silicium à partir de parois latérales de la tranchée tout en maintenant sensiblement les couches d'oxyde de silicium. Les couches de nitrure de silicium peuvent être gravées latéralement à moins de 10 nm des parois latérales de la tranchée.