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1. (WO2018067776) FILTRES ET COMPOSANTS RF RETOURNÉS
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N° de publication :    WO/2018/067776    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/055260
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 05.10.2017
CIB :
H01P 1/208 (2006.01), H01P 1/203 (2006.01)
Déposants : INVENSAS CORPORATION [US/US]; 3025 Orchard Parkway San Jose, CA 95134 (US)
Inventeurs : HUANG, Shaowu; (US).
HABA, Belgacem; (US)
Mandataire : LATTIN, Christopher, W.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/287,056 06.10.2016 US
Titre (EN) FLIPPED RF FILTERS AND COMPONENTS
(FR) FILTRES ET COMPOSANTS RF RETOURNÉS
Abrégé : front page image
(EN)Flipped radio frequency (RF) and microwave filters and components for compact package assemblies are provided. An example RF filter is constructed by depositing a conductive trace, such as a redistribution layer, onto a flat surface of a substrate, to form an RF filter element. The substrate is vertically mounted on a motherboard, thereby saving dedicated area. Multiple layers of substrate can be laminated into a stack and mounted so that the RF filter elements of each layer are in vertical planes with respect to a horizontal motherboard, providing dramatic reduction in size. Deposited conductive traces of an example flipped RF filter stack can provide various stub configurations of an RF filter and emulate various distributed filter elements and their configuration geometries. The deposited conductive traces can also form other electronic components to be used in conjunction with the RF filter elements. A wirebond or bond via array (BVA™) version can provide flipped RF and microwave filters.
(FR)L'invention concerne des filtres de radiofréquences (RF) retournés ainsi que des filtres et des composants à hyperfréquences retournés pour des assemblages en boîtier compact. Un exemple de filtre RF est construit par dépôt d'une piste conductrice, telle qu'une couche de redistribution, sur une surface plane d'un substrat, pour former un élément de filtre RF. Le substrat est monté verticalement sur une carte-mère, économisant ainsi une zone dédiée. De multiples couches de substrat peuvent être stratifiées en une pile et montées de telle sorte que les éléments de filtre RF de chaque couche se trouvent dans des plans verticaux par rapport à une carte-mère horizontale, réalisant une réduction considérable de la taille. Des pistes conductrices déposées d'un exemple de pile de filtres RF retournés peuvent présenter diverses configurations de talon d'un filtre RF et émuler divers éléments de filtre distribués et leurs géométries de configuration. Les pistes conductrices déposées peuvent également former d'autres composants électroniques à utiliser conjointement avec les éléments de filtre RF. Une version à microcâblage ou réseau de trous de liaison (BVA™) peut produire des filtres RF et à hyperfréquences retournés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)