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1. (WO2018067671) COUCHES DE GUIDAGE À MOTIFS CHIMIQUES DESTINÉES À ÊTRE UTILISÉES DANS L'ORIENTATION PAR CHIMIO-ÉPITAXIE DE COPOLYMÈRES SÉQUENCÉS
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N° de publication : WO/2018/067671 N° de la demande internationale : PCT/US2017/055090
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 04.10.2017
CIB :
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
Déposants :
BREWER SCIENCE INC. [US/US]; 2401 Brewer Drive Rolla, Missouri 65401, US
Inventeurs :
DAI, Jinhua; US
LOWES, Joyce; US
Mandataire :
BORNMAN, Tracy L.; US
Données relatives à la priorité :
62/404,04104.10.2016US
Titre (EN) CHEMICALLY PATTERNED GUIDE LAYERS FOR USE IN CHEMOEPITAXY DIRECTING OF BLOCK CO-POLYMERS
(FR) COUCHES DE GUIDAGE À MOTIFS CHIMIQUES DESTINÉES À ÊTRE UTILISÉES DANS L'ORIENTATION PAR CHIMIO-ÉPITAXIE DE COPOLYMÈRES SÉQUENCÉS
Abrégé :
(EN) The present invention is broadly concerned with materials, processes, and structures that allow an underlayer to be imaged directly using conventional lithography, thus avoiding the photoresist processing steps required by prior art directed self-assembly (DSA) processes. The underlayers can be tailored to favor a selected block of the DSA block co-polymers (BCP), depending on the pattern, and can be formulated either to initially be neutral to the BCP and switch to non-neutral after photoexposure, or can initially be non-neutral to the BCP and switch to neutral after exposure. These materials allow fast crosslinking to achieve solvent resistance and possess good thermal stability.
(FR) La présente invention concerne d'une manière générale des matériaux, des procédés et des structures qui permettent d'imager directement une sous-couche à l'aide d'une lithographie classique, et rendent ainsi superflues les étapes de traitement de résine photosensible requises par des processus d'auto-organisation guidée de l'état de la technique. Les sous-couches peuvent être mises au point sur mesure pour favoriser un bloc sélectionné des copolymères séquencés DSA (BCP) en fonction du motif, et peuvent être formulées pour être soit initialement neutres à l'égard du BCP et devenir non neutres après photo-exposition, soit initialement non neutres à l'égard du BCP et devenir neutres après l'exposition. Ces matériaux permettent une réticulation rapide pour présenter une résistance aux solvants, et possèdent une bonne stabilité thermique.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)