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1. (WO2018067464) PROCÉDÉS ET DISPOSITIFS UTILISANT DU RUTHÉNIUM SOUS FORME DE DÉPÔT PHYSIQUE EN PHASE VAPEUR
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N° de publication : WO/2018/067464 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054766
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 02.10.2017
CIB :
H01L 21/285 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 21/285][IPC code unknown for H01L 21/324][IPC code unknown for H01L 21/02]
Déposants :
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
RAMALINGAM, Jothilingam; US
MARSHALL, Ross; US
LEI, Jianxin; US
TANG, Xianmin; US
Mandataire :
BLANKMAN, Jeffrey I.; US
Données relatives à la priorité :
15/718,41228.09.2017US
62/403,69403.10.2016US
Titre (EN) METHODS AND DEVICES USING PVD RUTHENIUM
(FR) PROCÉDÉS ET DISPOSITIFS UTILISANT DU RUTHÉNIUM SOUS FORME DE DÉPÔT PHYSIQUE EN PHASE VAPEUR
Abrégé :
(EN) Ruthenium containing gate stacks and methods of forming ruthenium containing gate stacks are described. The ruthenium containing gate stack comprises a polysilicon layer on a substrate; a silicide layer on the polysilicon layer; a barrier layer on the silicide layer; a ruthenium layer on the barrier layer; and a spacer layer comprising a nitride on sides of the ruthenium layer, wherein the ruthenium layer comprises substantially no ruthenium nitride after formation of the spacer layer. Forming the ruthenium layer comprises sputtering the ruthenium in a krypton environment on a high current electrostatic chuck comprising a high resistivity ceramic material. The sputtered ruthenium layer is annealed at a temperature greater than or equal to about 500 °C.
(FR) L'invention concerne des empilements de grilles contenant du ruthénium et des procédés de formation d'empilements de grilles contenant du ruthénium. L'empilement de grille contenant du ruthénium comprend une couche de poly-silicium sur un substrat; une couche de siliciure sur la couche de poly-silicium; une couche barrière sur la couche de siliciure; une couche de ruthénium sur la couche barrière; et une couche d'espacement comprenant un nitrure sur les côtés de la couche de ruthénium, la couche de ruthénium ne comprenant sensiblement aucun nitrure de ruthénium après la formation de la couche d'espacement. La formation de la couche de ruthénium comprend la pulvérisation du ruthénium dans un environnement de krypton sur un mandrin électrostatique à courant élevé comprenant un matériau céramique à haute résistivité. La couche de ruthénium pulvérisée est recuite à une température supérieure ou égale à environ 500° C.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)