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1. (WO2018067391) ANODE DE BATTERIE AU LITHIUM-ION CONTENANT DES NANOFILS DE SILICIUM À CROISSANCE IN SITU DANS DES PORES DE MOUSSE DE GRAPHÈNE ET PROCESSUS DE PRODUCTION
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N° de publication :    WO/2018/067391    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/054234
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01M 4/02 (2006.01), H01M 4/04 (2006.01), H01M 4/133 (2010.01), H01M 4/134 (2010.01), H01M 4/1395 (2010.01), H01M 4/36 (2006.01)
Déposants : NANOTEK INSTRUMENTS, INC. [US/US]; 1240 McCook Ave Dayton, Ohio 45405 (US)
Inventeurs : SU, Yu-Sheng; (US).
YIN, Jun; (US).
FANG, Qing; (US).
ZHAMU, Aruna; (US).
JANG, Bor Z.; (US)
Mandataire : RUTISER, Claire; (US)
Données relatives à la priorité :
15/287,078 06.10.2016 US
Titre (EN) LITHIUM ION BATTERY ANODE CONTAINING SILICON NANOWIRES GROWN IN SITU IN PORES OF GRAPHENE FOAM AND PRODUCTION PROCESS
(FR) ANODE DE BATTERIE AU LITHIUM-ION CONTENANT DES NANOFILS DE SILICIUM À CROISSANCE IN SITU DANS DES PORES DE MOUSSE DE GRAPHÈNE ET PROCESSUS DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(EN)A process for producing an anode layer, comprising: (a) dispersing catalyst metal-coated Si particles, graphene sheets, and an optional blowing agent in a liquid medium to form a graphene/Si dispersion; (b) dispensing and depositing the dispersion onto a supporting substrate to form a wet layer and removing the liquid medium from the wet layer to form a dried layer of graphene/Si mixture material; and (c) exposing the dried layer to a high temperature environment, from 300°C to 2,000°C, to induce volatile gas molecules from graphene sheets or to activate the blowing agent for producing the graphene foam and, concurrently, to enable a catalyst metal-catalyzed growth of multiple Si nanowires emanated from Si particles as a feed material in pores of the foam to form the anode layer; wherein the Si nanowires have a diameter of 5-100 nm and a length-to-diameter aspect ratio of at least 5.
(FR)L'invention concerne un processus de production d'une couche d'anode, comprenant les étapes suivantes : (a) disperser des particules de Si revêtues de métal de catalyseur, des feuilles de graphène, et un agent de soufflage facultatif dans un milieu liquide pour former une dispersion de graphène et de Si ; (b) distribuer et déposer la dispersion sur un substrat de support pour former une couche humide et éliminer le milieu liquide de la couche humide pour former une couche séchée de matériau mélange de graphène et de Si ; et (c) exposer la couche séchée à un environnement à haute température, de 300 °C à 2000 °C, pour induire des molécules de gaz volatile à partir de feuilles de graphène ou pour activer l'agent de soufflage pour produire la mousse de graphène et, simultanément, pour permettre une croissance catalysée par un métal catalyseur de multiples nanofils de Si émanant de particules de Si constituant le matériau source dans des pores de la mousse pour former la couche d'anode ; les nanofils de Si ayant un diamètre de 5 à 100 nm et un rapport d'aspect entre la longueur et le diamètre d'au moins 5.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)