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1. (WO2018067250) DISPOSITIF DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELLE COMPORTANT UNE STRUCTURE D'ISOLATION AU NIVEAU DE SÉLECTION DE DRAIN, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/067250    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/049445
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 30.08.2017
CIB :
H01L 27/1158 (2017.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01), H01L 27/11524 (2017.01), H01L 27/11565 (2017.01), H01L 27/1157 (2017.01)
Déposants : SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 6900 North Dallas Parkway Suite 325 Plano, Texas 75024 (US)
Inventeurs : ZHANG, Yanli; (US).
ALSMEIER, Johann; (US).
MAKALA, Raghuveer S.; (US).
KANAKAMEDALA, Senaka; (US).
SHARANGPANI, Rahul; (US).
KAI, James; (US)
Mandataire : RADOMSKY, Leon; (US).
COHN, Joanna; (US).
CONNOR, David; (US).
GAUL, Allison; (US).
GAYOSO, Tony; (US).
GERETY, Todd; (US).
GILL, Matthew; (US).
GREGORY, Shaun D.; (US).
HANSEN, Robert; (US).
HUANG, Stephen; (US).
HYAMS, David; (US).
JOHNSON, Timothy; (US).
MAZAHERY, Benjamin; (US).
MURPHY, Timothy; (US).
NGUYEN, Jaqueline; (US).
O'BRIEN, Michelle; (US).
PARK, Byeongju; (US).
RUTT, Steven; (US).
SIMON, Phyllis; (US).
SULSKY, Martin; (US).
GEMMEL, Elizabeth; (US)
Données relatives à la priorité :
15/286,063 05.10.2016 US
Titre (EN) THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE HAVING DRAIN SELECT LEVEL ISOLATION STRUCTURE AND METHOD OF MAKING THEREOF
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELLE COMPORTANT UNE STRUCTURE D'ISOLATION AU NIVEAU DE SÉLECTION DE DRAIN, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)A layer stack including an alternating stack of insulating layers and sacrificial material layers is formed over a substrate. After formation of memory stack structures, backside trenches are formed through the layer stack. The sacrificial material layers are replaced with electrically conductive layers. Drain select level dielectric isolation structures are formed through drain select level of the stack after formation of the electrically conductive layers. The drain select level dielectric isolation structures laterally separate portions of conductive layers that are employed as drain select level gate electrodes for the memory stack structures.
(FR)Une pile de couches comprenant l'empilement alterné de couches isolantes et de couches de matériau sacrificiel est formée sur un substrat. Après la formation de structures de pile mémoire, des tranchées arrière sont formées à travers la pile de couches. Les couches de matériau sacrificiel sont remplacées par des couches électriquement conductrices. Des structures d'isolation diélectrique au niveau de sélection de drain sont formées à travers le niveau de sélection de drain de la pile, après la formation des couches électriquement conductrices. Les structures d'isolation diélectrique au niveau de sélection de drain séparent latéralement des parties de couches conductrices qui servent d'électrodes de grille au niveau de sélection de drain pour les structures de pile mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)