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1. (WO2018067136) CAPTEURS ISOLÉS
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N° de publication :    WO/2018/067136    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/055449
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 05.10.2016
CIB :
G01N 27/70 (2006.01), H01L 21/70 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
Déposants : HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 11445 Compaq Center Drive W. Houston, Texas 77070 (US)
Inventeurs : CORRIGAN, George, H., III; (US).
DOMINGUE, Chantelle; (US).
BENGALI, Sadiq; (US)
Mandataire : HASAN, Nishat; (US).
OAKESON, Gary P.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) INSULATED SENSORS
(FR) CAPTEURS ISOLÉS
Abrégé : front page image
(EN)The present disclosure is drawn to an insulated sensor including a silicon substrate with active circuitry on a surface thereof, an electrode disposed on the silicon substrate, a passivation layer having a thickness from greater than 500 Angstroms to 3,000 Angstroms disposed on the active circuitry, and an electrode insulating layer having a thickness from 10 Angstroms to 500 Angstroms disposed on the electrode.
(FR)L'invention concerne un capteur isolé comprenant: un substrat de silicium dont une surface comporte des circuits actifs; une électrode disposée sur le substrat de silicium; une couche de passivation présentant une épaisseur de plus de 500 angströms à 3000 angströms, disposée sur les circuits actifs; et une couche isolante d'électrode présentant une épaisseur de 10 à 500 angströms, disposée sur l'électrode.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)