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1. (WO2018067070) CAPTEUR À MAGNÉTORÉSISTANCE
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N° de publication : WO/2018/067070 N° de la demande internationale : PCT/SG2017/050499
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 04.10.2017
CIB :
B82Y 25/00 (2011.01) ,G01R 33/09 (2006.01) ,H01L 43/06 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82
NANOTECHNOLOGIE
Y
UTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
25
Nanomagnétisme, p.ex. magnéto-impédance, magnétorésistance anisotropique, magnétorésistance géante ou magnétorésistance à effet tunnel
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33
Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
02
Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques
06
en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques
09
des dispositifs magnéto-résistifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
06
Dispositifs à effet Hall
Déposants :
NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE [SG/SG]; 21 Lower Kent Ridge Road, Singapore 119077, SG
Inventeurs :
LOH, Kian Ping; SG
LIU, Yanpeng; SG
LU, Jiong; SG
Mandataire :
PATEL, Upasana; SG
Données relatives à la priorité :
10201608310V04.10.2016SG
Titre (EN) A MAGNETORESISTANCE SENSOR
(FR) CAPTEUR À MAGNÉTORÉSISTANCE
Abrégé :
(EN) A magnetoresistance sensor There is provided a magnetoresistance sensor comprising a graphene-black phosphorus hybrid structure, wherein the graphene-black phosphorus hybrid structure comprises a black phosphorus layer and a graphene layer disposed on the black phosphorus layer. In particular, the magnetoresistance of the graphene-black phosphorus hybrid structure may be determined by a difference in a charge mobility and/or carrier density between the graphene layer and the black phosphorus layer, wherein the charge mobility and/or the carrier density of the graphene layer may be tunable by a gate voltage applied to the graphene-black phosphorus hybrid structure.
(FR) L'invention concerne un capteur à magnétorésistance qui comprend une structure hybride de graphène-phosphore noir, la structure hybride de graphène-phosphore noir comprenant une couche de phosphore noir et une couche de graphène, placée sur la couche de phosphore noir. En particulier, la magnétorésistance de la structure hybride de graphène-phosphore noir peut être déterminée par une différence de la mobilité des charges et/ou de la densité de porteurs entre la couche de graphène et la couche de phosphore noir, la mobilité des charges et/ou la densité de porteurs de la couche de graphène pouvant être réglée par l'application d'une tension de grille à la structure hybride de graphène-phosphore noir.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)