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1. (WO2018067046) STRUCTURE D'EMBALLAGE COMPRENANT AU MOINS UNE TRANSITION FORMANT UNE INTERFACE SANS CONTACT
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N° de publication : WO/2018/067046 N° de la demande internationale : PCT/SE2016/050949
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 05.10.2016
CIB :
H01P 5/107 (2006.01)
Déposants : GAPWAVES AB[SE/SE]; Banehagsgatan 22 414 51 Göteborg, SE
Inventeurs : ZAMAN, Ashraf Uz; SE
YANG, Jian; SE
NANDI, Uttam; SE
Mandataire : T-ALLPAT AB; Annika Bergentall Vårflodsgatan 14 418 73 Göteborg, SE
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) A PACKAGING STRUCTURE COMPRISING AT LEAST ONE TRANSITION FORMING A CONTACTLESS INTERFACE
(FR) STRUCTURE D'EMBALLAGE COMPRENANT AU MOINS UNE TRANSITION FORMANT UNE INTERFACE SANS CONTACT
Abrégé : front page image
(EN) The present invention relates to a packaging structure (100)comprising a split-block assembly with a first and a second conducting block section (10A,20A) and at least one transition between a first planar transmission line (2A) and a second transmission line (11A), and one or more input/output ports. The first transmission line (2A) is arranged on a substrate, e.g. an MMIC (1A), disposed on the first conducting block section (10A) and comprises a coupling section (3A), the first conducting block (10A) comprises a cavity (4A) with a cavity opening in an upper surface of the first conducting block section (10A) so arranged that,in an assembled state of the split-block assembly,the coupling section (3A) will be located above, or in,the opening of the cavity (4A), the second transmission line (11A) being in line with the first transmission line (2A) and located on an opposite side of the opening of the cavity (4A).The second conducting block section (20A) acts as a lid in an assembled state of the packaging structure. One of the conducting block sections is provided with a high impedance surface (15A)in a transition region along or facing the first (2A) and second (11A) transmission lines, a narrow gap being provided between the high impedance surface region (15A) and the opposing surface of the other conducting block section (10A)at least in the transition region such that the transition will be contactless without any galvanic contact between the first and second transmission lines(2A,11A).
(FR) La présente invention concerne une structure d'emballage (100) comprenant un ensemble de bloc fendu avec une première et une seconde section de bloc conducteur (10A,20A) et au moins une transition entre une première ligne de transmission plane (2A) et une seconde ligne de transmission (11A), et un ou plusieurs ports d'entrée/sortie. La première ligne de transmission (2A) est disposée sur un substrat, par exemple un MMIC (1A), disposée sur la première section de bloc conducteur (10A) et comprend une section de couplage (3A), le premier bloc conducteur (10A) comprend une cavité (4A) avec une ouverture de cavité dans une surface supérieure de la première section de bloc conducteur (10A) de telle sorte que, dans un état assemblé de l'ensemble de bloc fendu, la section de couplage (3A) sera située au-dessus, ou dans, l'ouverture de la cavité (4A), la deuxième ligne de transmission (11A) étant en ligne avec la première ligne de transmission (2A) et située sur un côté opposé de l'ouverture de la cavité (4A). La seconde section de bloc conducteur (20A) agit en tant que couvercle dans un état assemblé de la structure d'emballage. L'une des sections de bloc conducteur comprend une surface à haute impédance (15A) dans une région de transition le long ou en regard de la première (2A) et des secondes lignes de transmission (11A), un espace étroit étant prévu entre la région de surface à haute impédance (15A) et la surface opposée de l'autre section de bloc conductrice (10A) au moins dans la région de transition de telle sorte que la transition sera sans contact sans aucun contact galvanique entre les première et seconde lignes de transmission (2A,11A).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)