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1. (WO2018066662) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE CARBURE DE SILICIUM

Pub. No.:    WO/2018/066662    International Application No.:    PCT/JP2017/036349
Publication Date: Fri Apr 13 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/336
H01L 21/3065
H01L 21/316
H01L 21/329
H01L 29/12
H01L 29/78
H01L 29/861
H01L 29/868
H01L 29/872
Applicants: DENSO CORPORATION
株式会社デンソー
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
トヨタ自動車株式会社
Inventors: TAKAGI Shigeyuki
高木 茂行
SHIMOMURA Masaki
下村 正樹
TAKEUCHI Yuichi
竹内 有一
SUZUKI Katsumi
鈴木 克己
AOI Sachiko
青井 佐智子
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE CARBURE DE SILICIUM
Abstract:
Selon la présente invention, lorsqu'une partie d'une couche de SiC de type p (50) permettant de former une couche profonde de type p (5), ladite partie étant formée au-dessus de la surface d'une région de source (4) de type n+, est retirée, une couche sacrificielle (60) ayant une fluidité est formée sur la couche de SiC de type p (50). Comme la surface de la couche sacrificielle (60) se trouve dans un état plat en raison de la fluidité, la couche de SiC de type p (50) est gravée en retrait conjointement à la couche sacrificielle (60) de sorte que sa sélectivité de gravure est de 1. Par conséquent, la couche de SiC de type p (50) peut être retirée de manière à présenter une surface plate. Par conséquent, un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur de SiC selon la présente invention est apte à permettre à la région de source (4) de type n+ et à la couche profonde de type p (5) d'avoir des surfaces plates après l'étape de gravure en retrait par un procédé plus simple.