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1. (WO2018066653) SUBSTRAT COMPOSITE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT COMPOSITE
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N° de publication :    WO/2018/066653    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/036310
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 05.10.2017
CIB :
H03H 3/08 (2006.01), C30B 29/22 (2006.01), C30B 31/22 (2006.01), C30B 33/06 (2006.01), H03H 9/25 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU CHEMICAL CO. ,LTD [JP/JP]; 6-1,Ohtemachi 2-chome,Chiyoda-ku Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : TANNO Masayuki; (JP).
NAGATA Kazutoshi; (JP).
AKIYAMA Shoji; (JP).
KATO Koji; (JP)
Mandataire : NUMAZAWA Yukio; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-198521 06.10.2016 JP
Titre (EN) COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING COMPOSITE SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT COMPOSITE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT COMPOSITE
(JA) 複合基板及び複合基板の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] The objective of the present invention is to provide a method of manufacturing a composite substrate configured to include a piezoelectric layer having a low variation in an amount of Li, and a support substrate. [Solution] This method of manufacturing a composite substrate is characterized in including: a step of subjecting a piezoelectric substrate to ion implantation; a step of joining the piezoelectric substrate to a support substrate; after the step of joining the piezoelectric substrate to the support substrate, a step of separating an ion implanted portion of the piezoelectric substrate into a piezoelectric layer joined to the support substrate, and the remaining piezoelectric substrate; and after the separating step, a step of diffusing Li into the piezoelectric layer.
(FR)[Problème] Le but de l'invention est de fournir un procédé de fabrication d'un substrat composite conçu pour comprendre une couche piézoélectrique présentant une faible variation dans une certaine quantité de Li, et un substrat de support. [Solution] L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat composite, caractérisé en ce qu'il comprend : une étape consistant à soumettre un substrat piézoélectrique à une implantation d'ions ; une étape consistant à assembler le substrat piézoélectrique sur un substrat de support ; après l'étape d'assemblage du substrat piézoélectrique sur le substrat de support, une étape consistant à séparer une partie implantée d'ions du substrat piézoélectrique pour obtenir une couche piézoélectrique assemblée sur le substrat de support, et le substrat piézoélectrique restant ; et après l'étape de séparation, une étape consistant à diffuser du Li dans la couche piézoélectrique.
(JA)【課題】 本発明の目的は、Li量のバラツキが少ない圧電体層と支持基板とを含んで構成される複合基板の製造方法を提供することである。 【解決手段】 本発明の複合基板の製造方法は、圧電体基板にイオン注入を行う工程と、圧電体基板と支持基板とを接合する工程と、圧電体基板と支持基板とを接合する工程の後に、圧電体基板のイオン注入部において、支持基板に接合された圧電体層と残りの圧電体基板とに分離する工程と、この分離する工程の後に、圧電体層にLiを拡散させる工程とを含むことを特徴とするものである。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)