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1. (WO2018066517) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COMPOSITION DESTINÉE À UN REVÊTEMENT DE MOTIF DE RÉSERVE À L'AIDE D'UN PROCÉDÉ DE REMPLACEMENT DE SOLVANT
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N° de publication : WO/2018/066517 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/035832
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 02.10.2017
CIB :
G03F 7/40 (2006.01) ,G03F 7/11 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26
Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
40
Traitement après le dépouillement selon l'image, p.ex. émaillage
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
09
caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires
11
avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p.ex. couches d'ancrage
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
Déposants :
日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 5-1, Nihonbashi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1036119, JP
Inventeurs :
志垣 修平 SHIGAKI, Shuhei; JP
武田 諭 TAKEDA, Satoshi; JP
柴山 亘 SHIBAYAMA, Wataru; JP
中島 誠 NAKAJIMA, Makoto; JP
坂本 力丸 SAKAMOTO, Rikimaru; JP
Mandataire :
特許業務法人はなぶさ特許商標事務所 HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE; 東京都千代田区神田駿河台3丁目2番地 新御茶ノ水アーバントリニティ Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062, JP
Données relatives à la priorité :
2016-19674804.10.2016JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING COMPOSITION FOR RESIST PATTERN COATING WITH USE OF SOLVENT REPLACEMENT METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COMPOSITION DESTINÉE À UN REVÊTEMENT DE MOTIF DE RÉSERVE À L'AIDE D'UN PROCÉDÉ DE REMPLACEMENT DE SOLVANT
(JA) 溶剤置換法を用いたレジストパターン塗布用組成物の製造方法
Abrégé :
(EN) [Problem] To provide a method for producing a coating composition for reversing a pattern by being applied onto a resist film which has been patterned by a solvent development lithography process. [Solution] A method for producing a composition to be applied onto a patterned resist film, which comprises (A) a step for obtaining a hydrolysis condensation product by hydrolyzing and condensing a hydrolyzable silane in a non-alcoholic hydrophilic solvent, and (B) a step for performing solvent replacement of the hydrolysis condensation product from the non-alcoholic hydrophilic solvent to a hydrophobic solvent. A method for producing a semiconductor device, which comprises (1) a step for forming a resist film on a substrate by applying a resist composition thereto, (2) a step for subjecting the resist film to light exposure and development, (3) a step for forming a coating film in the spaces among the pattern by applying a composition obtained by the above-described production method to a patterned resist film obtained during or after the development in step (2), and (4) a step for reversing the pattern by removing the patterned resist film by etching. The production method wherein the light exposure is performed with use of an ArF laser (wavelength: 193 nm) or EUV (wavelength: 13.5 nm). The production method wherein the development is a negative development by means of an organic solvent.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir une composition de revêtement pour inverser un motif par application sur un film de réserve qui a été modelé par un procédé de lithographie par développement de solvant. La solution décrite par la présente invention concerne un procédé de production d'une composition à appliquer sur un film de réserve à motifs, qui comprend (A) une étape consistant à obtenir un produit de condensation par hydrolyse en hydrolysant et condensant un silane hydrolysable dans un solvant hydrophile non alcoolique, et (B) une étape consistant à effectuer un remplacement par solvant du produit de condensation d'hydrolyse du solvant hydrophile non alcoolique à un solvant hydrophobe. L'invention concerne également un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur, qui comprend (1) une étape consistant à former un film de réserve sur un substrat par application d'une composition de réserve sur ce dernier, (2) une étape consistant à soumettre le film de réserve à une exposition à la lumière et à un développement, (3) une étape consistant à former un film de revêtement dans les espaces entre le motif par application d'une composition obtenue par le procédé de production décrit ci-dessus à un film de réserve à motifs obtenu pendant ou après le développement à l'étape (2), et (4) une étape d'inversion du motif par élimination du film de réserve à motifs par gravure. Dans le procédé de production, l'exposition à la lumière est effectuée à l'aide d'un laser ArF (longueur d'onde : 193 nm) ou EUV (longueur d'onde : 13,5 nm). Dans le procédé de production, le développement est un développement négatif au moyen d'un solvant organique.
(JA) 【課題】 溶剤現像リソグラフィープロセスでパターン化されたレジスト膜上に塗布してパターンを反転させるための塗布用組成物の製造方法を提供する。 【解決手段】 加水分解性シランを非アルコール系親水性溶剤中で加水分解し縮合して加水分解縮合物を得る工程(A)、該加水分解縮合物についてその非アルコール系親水性溶剤を疎水性溶剤に溶媒置換する工程(B)を含むパターン化されたレジスト膜に塗布される組成物の製造方法。基板上にレジスト組成物を塗布しレジスト膜を形成する工程(1)、該レジスト膜を露光と現像する工程(2)、工程(2)の現像中又は現像後に得られるパターン化されたレジスト膜に上記の製造方法により得られた組成物を塗布し、パターン間に塗膜を形成する工程(3)、パターン化されたレジスト膜をエッチング除去してパターンを反転させる工程(4)を含む半導体装置の製造方法。露光がArFレーザー(波長193nm)又はEUV(波長13.5nm)を用いて行われる製造方法。現像が有機溶剤によるネガ型現像である製造方法。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)