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1. (WO2018066483) ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/066483 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/035690
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 31/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
Déposants :
国立大学法人東京工業大学 TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 東京都目黒区大岡山２丁目１２番１号 2-12-1, Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 1528550, JP
ＡＧＣ株式会社 AGC INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目５番１号 5-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405, JP
Inventeurs :
細野　秀雄 HOSONO, Hideo; JP
雲見　日出也 KUMOMI, Hideya; JP
渡邉　暁 WATANABE, Satoru; JP
中村　伸宏 NAKAMURA, Nobuhiro; JP
伊藤　和弘 ITO, Kazuhiro; JP
宮川　直通 MIYAKAWA, Naomichi; JP
Mandataire :
伊東　忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東　忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
Données relatives à la priorité :
2016-19578503.10.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体素子
Abrégé :
(EN) A semiconductor element which comprises an n-type Si portion, a first layer that is arranged on the n-type Si portion, a second layer that is arranged on the first layer, and an electrode layer that is arranged on the second layer. The first layer is configured from an electride of an oxide that contains a calcium atom and an aluminum atom. The second layer is selected from the group consisting of: (i) metal oxides that contain zinc (Zn) and oxygen (O), and additionally contains at least one of silicon (Si) and tin (Sn); (ii) metal oxides that contain titanium (Ti) and oxygen (O); (iii) metal oxides that contain tin (Sn) and oxygen (O); and (iv) metal oxides that contain zinc (Zn) and oxygen (O).
(FR) L'invention concerne un élément semiconducteur qui comprend une portion en Si de type n, une première couche qui est disposée sur la portion en Si de type n, une deuxième couche qui est disposée sur la première couche et une couche d'électrode qui est disposée sur la deuxième couche. La première couche est constituée d'un électrure d'un oxyde qui contient un atome de calcium et un atome d'aluminium. La deuxième couche est choisie dans le groupe constitué par : (i) des oxydes métalliques qui contiennent du zinc (Zn) et de l'oxygène (O), et contient en outre au moins l'un parmi le silicium (Si) et l'étain (Sn); (ii) des oxydes métalliques qui contiennent du titane (Ti) et de l'oxygène (O); (iii) des oxydes métalliques qui contiennent de l'étain (Sn) et de l'oxygène (O); et (iv) des oxydes métalliques qui contiennent du zinc (Zn) et de l'oxygène (O).
(JA) ｎ型Ｓｉ部分と、該ｎ型Ｓｉ部分の上に配置された第１の層と、該第１の層の上に配置された第２の層と、前記第２の層の上に配置された電極層と、を有し、前記第１の層は、カルシウム原子およびアルミニウム原子を含む酸化物のエレクトライドで構成され、前記第２の層は、以下の群：（ｉ）亜鉛（Ｚｎ）および酸素（Ｏ）を含み、さらに、ケイ素（Ｓｉ）およびスズ（Ｓｎ）のうちの少なくとも１つを含む金属酸化物、（ｉｉ）チタン（Ｔｉ）および酸素（Ｏ）を含む金属酸化物、（ｉｉｉ）スズ（Ｓｎ）および酸素（Ｏ）を含む金属酸化物、ならびに（ｉｖ）亜鉛（Ｚｎ）および酸素（Ｏ）を含む金属酸化物、から選定される、半導体素子。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)