Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2018066420) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/066420    International Application No.:    PCT/JP2017/034829
Publication Date: Fri Apr 13 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Sep 28 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 25/07
H01L 23/48
H01L 25/18
Applicants: DENSO CORPORATION
株式会社デンソー
Inventors: HAYASHI Hiromasa
林 敬昌
TOMOTO Shunsuke
戸本 俊介
MORI Yusuke
森 勇輔
Title: DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
Abstract:
L'invention concerne un dispositif semiconducteur comprenant : une première puce (10) contenant un premier élément de commutation (12) qui limite un flux de courant électrique dans une direction dans un trajet de courant ; une deuxième puce (20) contenant un deuxième élément de commutation (22) qui limite un flux de courant électrique dans la direction opposée à la direction dans le trajet de courant ; un câblage (30) servant de relais entre la première puce et la deuxième puce et formant ainsi une partie du trajet de courant ; une grille de connexion (40) qui comprend un premier conducteur (42) sur lequel la première puce est disposée de manière fixe et un deuxième conducteur (44) sur lequel la deuxième puce est disposée de manière fixe, et qui forme un trajet de courant ; et une résine de moulage (60) qui scelle intégralement la première puce, la deuxième puce, le câblage et la grille de connexion. Le câblage est une résistance shunt qui contient une résistance (32). La grille de connexion comprend en outre une borne de détection (100e, 100f, 46) destinée à détecter une chute de tension aux bornes de la résistance.