WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018066408) RUBAN ADHÉSIF POUR USINAGE DE SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/066408 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/034691
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 26.09.2017
CIB :
H01L 21/301 (2006.01) ,C09J 4/02 (2006.01) ,C09J 7/02 (2006.01) ,C09J 133/00 (2006.01) ,C09J 201/00 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : LINTEC CORPORATION[JP/JP]; 23-23 Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001, JP
Inventeurs : AIZAWA, Kazuto; JP
MAEDA, Jun; JP
HORIGOME, Katsuhiko; JP
Mandataire : MAEDA & SUZUKI; 8F, Iwanami Shoten Hitotsubashi Bldg., 5-5, Hitotsubashi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010003, JP
Données relatives à la priorité :
2016-19599603.10.2016JP
Titre (EN) ADHESIVE TAPE FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) RUBAN ADHÉSIF POUR USINAGE DE SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法
Abrégé :
(EN) [Problem] To provide an adhesive tape for semiconductor processing which can suppress chip cracking even when used in DBG, particularly LDBG. [Solution] This adhesive tape for semiconductor processing comprises a substrate which has a Young's modulus at 23°C of greater than or equal to 1000 MPa, a buffer layer which is provided on at least one surface of said substrate, and an adhesive layer provided on the other surface of said substrate. The tensile storage modulus (E23) of the buffer layer at 23°C is 100-2000 MPa, and the tensile storage modulus (E60) of the buffer layer at 60°C is 20-1000 MPa.
(FR) L'invention fournit un ruban adhésif pour usinage de semi-conducteur qui permet d'empêcher la rupture d'une puce, y compris dans le cas d'une mise en œuvre dans un découpage en dés avant meulage (DBG), et particulièrement dans un découpage en dés au laser avant meulage (LDBG). Le ruban adhésif pour usinage de semi-conducteur de l'invention possède un matériau de base de module de Young à 23°C supérieur ou égal à 1000MPa, une couche tampon agencée sur au moins un côté face de ce matériau de base, et une couche d'adhésif agencée sur l'autre côté face du matériau de base. Le module élastique de conservation en traction (E23) à 23°C de ladite couche tampon, est compris entre 100 et 2000MPa, et son module élastique de conservation en traction(E60) à 60°C est compris entre 20 et 1000 MPa.
(JA) 【課題】DBG、特にLDBGに用いても、チップのクラックを抑制できる半導体加工用粘着テープを提供すること。 【解決手段】本発明に係る半導体加工用粘着テープは、23℃におけるヤング率が1000MPa以上の基材と、当該基材の少なくとも一方の面側に設けられた緩衝層と、当該基材の他方の面側に設けられた粘着剤層とを有し、前記緩衝層の23℃における引張貯蔵弾性率(E23)が100~2000MPaであり、前記緩衝層の60℃における引張貯蔵弾性率(E60)が20~1000MPaである。 
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)