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1. (WO2018066363) STRUCTURE, ÉLÉMENT D'ÉLECTRODE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURE
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N° de publication : WO/2018/066363 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/033952
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 20.09.2017
CIB :
H01M 4/13 (2010.01) ,C01G 19/02 (2006.01) ,C01G 23/04 (2006.01) ,C23C 20/08 (2006.01) ,H01G 9/20 (2006.01) ,H01M 4/48 (2010.01) ,H01M 4/62 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
M
PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES
4
Electrodes
02
Electrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif
13
Électrodes pour accumulateurs à électrolyte non aqueux, p.ex. pour accumulateurs au lithium; Leurs procédés de fabrication
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
G
COMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
19
Composés de l'étain
02
Oxydes
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
G
COMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
23
Composés du titane
04
Oxydes; Hydroxydes
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
20
Revêtement chimique par décomposition soit de composés solides, soit de suspensions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement
06
Revêtement avec des matériaux inorganiques autres que des matériaux métalliques
08
avec des composés, des mélanges ou des solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
9
Condensateurs électrolytiques, redresseurs électrolytiques, détecteurs électrolytiques, dispositifs de commutation électrolytiques, dispositifs électrolytiques photosensibles ou sensibles à la température; Procédés pour leur fabrication
20
Dispositifs photosensibles
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
M
PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES
4
Electrodes
02
Electrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif
36
Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
48
d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
M
PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES
4
Electrodes
02
Electrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif
62
Emploi de substances spécifiées inactives comme ingrédients pour les masses actives, p.ex. liants, charges
Déposants :
増田 佳丈 MASUDA, Yoshitake [JP/JP]; JP (US)
秋本 順二 AKIMOTO, Junji [JP/JP]; JP (US)
加藤 一実 KATO, Kazumi [JP/JP]; JP (US)
国立研究開発法人産業技術総合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 東京都千代田区霞が関一丁目3番1号 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921, JP (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JO, JP, KE, KG, KH, KM, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW)
Inventeurs :
増田 佳丈 MASUDA, Yoshitake; JP
秋本 順二 AKIMOTO, Junji; JP
加藤 一実 KATO, Kazumi; JP
Mandataire :
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
Données relatives à la priorité :
2016-19612504.10.2016JP
Titre (EN) STRUCTURE, ELECTRODE MEMBER, AND METHOD FOR MANUFACTURING STRUCTURE
(FR) STRUCTURE, ÉLÉMENT D'ÉLECTRODE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURE
(JA) 構造体、電極部材、および構造体の製造方法
Abrégé :
(EN) Disclosed is a structure having: a sheet-shaped tin oxide crystal part; a titanium oxide crystal part disposed on the surface of the tin oxide crystal part; and fine metal particles dispersed in the tin oxide crystal part and the titanium oxide crystal part.
(FR) L'invention concerne une structure ayant : une partie de cristal d'oxyde d'étain en forme de feuille; une partie de cristal d'oxyde de titane disposée sur la surface de la partie de cristal d'oxyde d'étain; et de fines particules de métal dispersées dans la partie de cristal d'oxyde d'étain et la partie de cristal d'oxyde de titane
(JA) シート状のスズ酸化物結晶部分と、該スズ酸化物結晶部分の表面に配置されたチタン酸化物結晶部分と、前記スズ酸化物結晶部分および前記チタン酸化物結晶部分内に分散された金属微粒子と、を有する構造体。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)