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1. (WO2018066322) TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIAL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIAL
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N° de publication : WO/2018/066322 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/032846
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 12.09.2017
CIB :
H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
Déposants :
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 1-2-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1058634, JP
Inventeurs :
古谷 和也 KODANI Kazuya; JP
小野 敏昭 ONO Toshiaki; JP
鳥越 和尚 TORIGOE Kazuhisa; JP
Mandataire :
特許業務法人樹之下知的財産事務所 KINOSHITA & ASSOCIATES; 東京都杉並区荻窪五丁目26番13号 3階 3rd Floor, 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo 1670051, JP
Données relatives à la priorité :
2016-19882507.10.2016JP
Titre (EN) EPITAXIAL SILICON WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SILICON WAFER
(FR) TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIAL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIAL
(JA) エピタキシャルシリコンウェーハおよびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
Abrégé :
(EN) This method for manufacturing an epitaxial silicon wafer in a trichlorosilane gas atmosphere is provided with: an epitaxial film formation step for forming an epitaxial film comprising silicon on the surface of a silicon wafer; and a nitrogen concentration setting step for forming a nitride film on the epitaxial film by heating, in a nitrogen atmosphere, the silicon wafer on which the epitaxial film has been formed in the epitaxial film formation step, and setting the nitrogen concentration of the surface of the epitaxial film by using inward diffusion from the nitride film.
(FR) Selon la présente invention, ce procédé de fabrication d'une tranche de silicium épitaxial dans une atmosphère de trichlorosilane gazeux comprend : une étape de formation de film épitaxial permettant de former un film épitaxial comprenant du silicium sur la surface d'une tranche de silicium ; et une étape de définition de concentration d'azote permettant de former un film de nitrure sur le film épitaxial par chauffage, dans une atmosphère d'azote, de la tranche de silicium sur laquelle le film épitaxial a été formé dans l'étape de formation de film épitaxial, et par réglage de la concentration d'azote de la surface du film épitaxial à l'aide d'une diffusion vers l'intérieur à partir du film de nitrure.
(JA) トリクロロシランのガス雰囲気において、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法は、シリコンウェーハの表面にシリコンで構成されたエピタキシャル膜を形成するエピタキシャル膜形成工程と、エピタキシャル膜形成工程でエピタキシャル膜が形成されたシリコンウェーハを窒素雰囲気で熱処理してエピタキシャル膜上に窒化膜を形成し、この窒化膜からの内方拡散を利用してエピタキシャル膜表面の窒素濃度を設定する窒素濃度設定工程とを備えている。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)