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1. (WO2018066320) ELÉMENT DE COMMUTATION, DISPOSITIF DE STOCKAGE ET SYSTÈME DE MÉMOIRE
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N° de publication :    WO/2018/066320    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/032811
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 12.09.2017
CIB :
H01L 21/8239 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Déposants : SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 4-14-1, Asahicho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014 (JP)
Inventeurs : SEI, Hiroaki; (JP).
OHBA, Kazuhiro; (JP).
SONE, Takeyuki; (JP).
NONOGUCHI, Seiji; (JP).
IKARASHI, Minoru; (JP)
Mandataire : TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-196669 04.10.2016 JP
2017-008138 20.01.2017 JP
Titre (EN) SWITCH ELEMENT, STORAGE DEVICE AND MEMORY SYSTEM
(FR) ELÉMENT DE COMMUTATION, DISPOSITIF DE STOCKAGE ET SYSTÈME DE MÉMOIRE
(JA) スイッチ素子および記憶装置ならびにメモリシステム
Abrégé : front page image
(EN)A switch element according to one embodiment of the present disclosure is provided with a first electrode, a second electrode that is arranged to face the first electrode, and a switch layer that is disposed between the first electrode and the second electrode. The switch layer contains at least one chalcogen element selected from among tellurium (Te), selenium (Se) and sulfur (S) and at least one first element selected from among phosphorus (P) and arsenic (As), while additionally containing at least one second element selected from among boron (B) and carbon (C) and/or at least one third element selected from among aluminum (Al), gallium (Ga) and indium (In).
(FR)Élément de commutation selon un mode de réalisation de la présente invention, comprenant une première électrode, une deuxième électrode qui est disposée de manière à faire face à la première électrode et une couche de commutation qui est disposée entre la première électrode et la deuxième électrode. La couche de commutation contient au moins un élément chalcogène, sélectionné parmi le tellure (Te), le sélénium (Se) et le soufre (S), et au moins un premier élément choisi parmi le phosphore (P) et l'arsenic (As), tout en contenant en plus au moins un deuxième élément, choisi parmi le bore (B) et le carbone (C), et/ou au moins un troisième élément, choisi parmi l'aluminium (Al), le gallium (Ga) et l'indium (In).
(JA)【解決手段】本開示の一実施形態のスイッチ素子は、第1電極と、第1電極と対向配置された第2電極と、第1電極と第2電極との間に設けられたスイッチ層とを備え、スイッチ層は、テルル(Te)、セレン(Se)および硫黄(S)から選ばれる少なくとも1種のカルコゲン元素と、リン(P)およびヒ素(As)から選ばれる少なくとも1種の第1元素とを含み、さらに、ホウ素(B)および炭素(C)から選ばれる少なくとも1種の第2元素と、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)およびインジウム(In)から選ばれる少なくとも1種の第3元素との少なくとも一方を含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)