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1. (WO2018066302) FEUILLE DE FORMATION DE PREMIER FILM DE PROTECTION
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N° de publication : WO/2018/066302 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/032468
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 08.09.2017
CIB :
H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/301 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
301
pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées
Déposants :
リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP/JP]; 東京都板橋区本町23番23号 23-23, Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001, JP
Inventeurs :
山岸 正憲 YAMAGISHI Masanori; JP
安達 一政 ADACHI Issei; JP
Mandataire :
西澤 和純 NISHIZAWA Kazuyoshi; JP
五十嵐 光永 IGARASHI Koei; JP
加藤 広之 KATO Hiroyuki; JP
Données relatives à la priorité :
2016-19752305.10.2016JP
Titre (EN) FIRST PROTECTION FILM FORMING SHEET
(FR) FEUILLE DE FORMATION DE PREMIER FILM DE PROTECTION
(JA) 第1保護膜形成用シート
Abrégé :
(EN) This first protection film forming sheet is provided with a first base material, a buffer layer formed on the first base material, and a curable resin film formed on the buffer layer. When test pieces for each of the buffer layer and the curable resin film are fabricated having a diameter of 8 mm and a thickness of 1 mm, and a strain distribution measurement is performed to measure the shearing modulus G' of the test pieces by producing a strain in the test pieces under conditions of 90°C and 1 Hz, a shearing modulus Gb300' of the test piece for the buffer layer when the test piece for the buffer layer has a strain of 300%, and a shearing modulus Gc300' of the test piece for the curable resin film when the test piece for the curable resin film has a strain of 300% satisfy the relationship Gb300' ≥ Gc300'.
(FR) L'invention concerne une feuille de formation de premier film de protection qui comprend un premier matériau de base, une couche tampon formée sur le premier matériau de base, et un film de résine durcissable formé sur la couche tampon. Lorsque des pièces de test pour chacune de la couche tampon et du film de résine durcissable sont fabriquées ayant un diamètre de 8 mm et une épaisseur de 1 mm, et une mesure de distribution de contrainte est effectuée pour mesurer le module de cisaillement G' des pièces de test en produisant une contrainte dans les pièces de test dans des conditions de 90 °C et de 1 Hz, un module de cisaillement Gb300' de la pièce de test pour la couche tampon lorsque la pièce de test pour la couche tampon a une contrainte de 300 %, et un module de cisaillement Gc300' de la pièce de test pour le film de résine durcissable lorsque la pièce de test pour le film de résine durcissable a une contrainte de 300% satisfont la relation Gb300' ≥ Gc300'.
(JA) この第1保護膜形成用シートは、第1基材と、第1基材上に形成された緩衝層と、緩衝層上に形成された硬化性樹脂フィルムと、を備えており、緩衝層と硬化性樹脂フィルムについて、それぞれ、直径8mm、厚さ1mmの試験片を作製し、これら試験片に、90℃、1Hzの条件でひずみを発生させ、これら試験片のせん断弾性率G'を測定するひずみ分散測定を行ったとき、緩衝層の試験片のひずみが300%のときの緩衝層の試験片のせん断弾性率Gb300'と、硬化性樹脂フィルムの試験片のひずみが300%のときの硬化性樹脂フィルムの試験片のせん断弾性率Gc300'とが、Gb300'≧Gc300'の関係を満たす。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)