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1. (WO2018065861) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT DE VERRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET SUBSTRAT DE VERRE
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N° de publication : WO/2018/065861 N° de la demande internationale : PCT/IB2017/055991
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
Déposants :
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
Inventeurs :
山崎舜平 YAMAZAKI, Shunpei; JP
佐藤将孝 SATO, Masataka; --
井戸尻悟 IDOJIRI, Satoru; JP
高瀬奈津子 TAKASE, Natsuko; JP
Données relatives à la priorité :
2016-19892507.10.2016JP
Titre (EN) GLASS SUBSTRATE CLEANING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND GLASS SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT DE VERRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET SUBSTRAT DE VERRE
(JA) ガラス基板の洗浄方法、半導体装置の作製方法、及びガラス基板
Abrégé :
(EN) The purpose of the present invention is to reutilize glass substrates, and to increase semiconductor device mass productivity. A glass substrate comprises on one surface thereof a first material and a second material. The first material includes one or both of a metal and a metal oxide. The second material includes one or both of a resin and a resin degradation product. A glass substrate cleaning method comprises: a step of preparing a glass substrate comprising on one surface thereof a first material and a second material; and a step of removing at least a part of the second material to expose the first material.
(FR) Le but de la présente invention est de réutiliser des substrats de verre, et d'augmenter la productivité de masse de dispositifs à semi-conducteur. Un substrat de verre comprend un premier matériau et un second matériau sur une de ses surfaces. Le premier matériau comprend un métal et/ou un oxyde métallique. Le second matériau comprend une résine et/ou un produit de dégradation de résine. Un procédé de nettoyage de substrat de verre comprend : une étape de préparation d'un substrat de verre comprenant un premier matériau et un second matériau sur une de ses surfaces; et une étape d'élimination d'au moins une partie du second matériau pour exposer le premier matériau.
(JA) 要約書 ガラス基板を再利用する。半導体装置の量産性を高める。 一方の面に第1の材料及び第2の材料を有するガラス基板である。 第1の材料は、 金属及び金属酸化 物のうち一方または双方を有する。 第2の材料は、 樹脂及び樹脂の分解物のうち一方または双方を有 する。 一方の面に第1の材料及び第2の材料を有するガラス基板を準備する工程と、 第2の材料の少 なくとも一部を除去し、前記第1の材料を露出させる工程と、を有するガラス基板の洗浄方法である。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)