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1. (WO2018065852) RÉACTEUR DE DÉPÔT ÉPITAXIAL AVEC RÉFLECTEUR EXTÉRIEUR À LA CHAMBRE DE RÉACTION ET PROCÉDÉ DE REFROIDISSEMENT D'UN SUSCEPTEUR ET DE SUBSTRATS

Pub. No.:    WO/2018/065852    International Application No.:    PCT/IB2017/055888
Publication Date: Fri Apr 13 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Sep 28 01:59:59 CEST 2017
IPC: C23C 16/458
C23C 16/46
H01L 21/324
Applicants: LPE S.P.A.
Inventors: PRETI, Silvio
OGLIARI, Vincenzo
PRETI, Franco
Title: RÉACTEUR DE DÉPÔT ÉPITAXIAL AVEC RÉFLECTEUR EXTÉRIEUR À LA CHAMBRE DE RÉACTION ET PROCÉDÉ DE REFROIDISSEMENT D'UN SUSCEPTEUR ET DE SUBSTRATS
Abstract:
La présente invention concerne un réacteur (1) pour le dépôt épitaxial de matériau semi-conducteur sur des substrats (100), comportant: une chambre de réaction (2) dotée d'une cavité (20) formée par une paroi inférieure (21), une paroi supérieure (22) et des parois latérales (23, 24); un suscepteur (3), positionné à l'intérieur de ladite cavité (20), et conçu pour le maintien et le chauffage des substrats (100) pendant le dépôt épitaxial; un système de chauffage (6) conçu pour chauffer ledit suscepteur (3); une plaque supérieure (7) qui est positionnée au-dessus de ladite paroi supérieure (22) et qui recouvre ledit suscepteur (3) de sorte qu'il réfléchit le rayonnement thermique émis par ledit suscepteur (3) vers ledit suscepteur (3). Un flux de liquide (LF) est prévu dans ou sur ladite plaque supérieure (7) pour refroidir ladite plaque supérieure (7). Un flux gazeux (GF) est prévu entre ladite paroi supérieure (22) et ladite plaque supérieure (7) pour favoriser le transfert de chaleur depuis ladite paroi supérieure (22) vers ladite plaque supérieure (7).