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1. (WO2018065833) CIRCUIT INTÉGRÉ ÉLECTRONIQUE SUPRACONDUCTEUR
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N° de publication :    WO/2018/065833    N° de la demande internationale :    PCT/IB2017/054396
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 20.07.2017
CIB :
H01L 39/22 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth, Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only).
IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LIMITED [CN/CN]; 25/F, Pangu Plaza No.27, Central North 4th Ring Road, Chaoyang District Beijing 100101 (CN) (MG only)
Inventeurs : DIAL, Oliver; (US).
EDELSTEIN, Daniel; (US).
GATES, Stephen; (US).
JOSEPH, Eric, Andrew; (US).
STEINER, Rachel, Sara; (US)
Mandataire : GRAHAM, Timothy; (GB)
Données relatives à la priorité :
15/285,100 04.10.2016 US
Titre (EN) SUPERCONDUCTING ELECTRONIC INTEGRATED CIRCUIT
(FR) CIRCUIT INTÉGRÉ ÉLECTRONIQUE SUPRACONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A technique relates to a superconducting electronic device. A crystalline substrate (105) has a trench (110). An embedded superconducting structure (205) is embedded in the trench (110) within the crystalline substrate (105). The embedded superconducting structure (205) has 4 surfaces in which 3 surfaces are substantially embedded within the trench (110), 3 sides are not exposed to oxygen, and 3 sides are not oxidized. A nonlinear superconducting element (350) may be formed on the embedded superconducting structure (205), and a second superconducting structure (705) may be formed on the nonlinear superconducting element (350).
(FR)L'invention concerne une technique ayant trait à un dispositif electronique supraconducteur. Un substrat cristallin (105) a une tranchée (110). Une structure supraconductrice incorporée (205) est incorporée dans la tranchée (110) à l'intérieur du substrat cristallin (105). La structure supraconductrice intégrée (205) a 4 surfaces dans lesquelles 3 surfaces sont sensiblement incorporées à l'intérieur de la tranchée (110), 3 côtés ne sont pas exposés à l'oxygène, et 3 côtés ne sont pas oxydés. Un élément supraconducteur non linéaire (350) peut être formé sur la structure supraconductrice intégrée (205), et une seconde structure supraconductrice (705) peut être formée sur l'élément supraconducteur non linéaire (350).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)