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1. (WO2018065776) INTÉGRATION FRONTALE DE L'ÉLECTRONIQUES ET DE LA PHOTONIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/065776    N° de la demande internationale :    PCT/GB2017/053020
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 05.10.2017
CIB :
G02B 6/122 (2006.01), G02B 6/136 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF ST ANDREWS [GB/GB]; College Gate North Street St Andrews KY16 9AJ (GB)
Inventeurs : DEBNATH, Kapil; (GB).
WHELAN-CURTIN, William; (GB)
Mandataire : MARKS & CLERK LLP; Atholl Exchange 6 Canning Street Edinburgh EH3 8EG (GB)
Données relatives à la priorité :
1617009.4 06.10.2016 GB
Titre (EN) FRONTEND INTEGRATION OF ELECTRONICS AND PHOTONICS
(FR) INTÉGRATION FRONTALE DE L'ÉLECTRONIQUES ET DE LA PHOTONIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A method of manufacturing a platform (10) for an integrated electronic and optical circuit comprises forming at least one optical device portion in a CMOS compatible substrate (12), wherein the optical device portion comprises a waveguide layer (22) and a barrier layer (20) arranged to confine light to a region of the waveguide layer, wherein forming the at least one optical device potion comprises: forming at least one trench (14) in the substrate (12); depositing the barrier layer (20) in the at least one trench (14); depositing the waveguide layer (22) over the barrier layer (20), and planarizing the substrate (12).
(FR)Un procédé de fabrication d'une plate-forme (10) pour un circuit électronique et optique intégré consisté à former au moins une partie de dispositif optique dans un substrat compatible CMOS (12), la partie de dispositif optique comprenant une couche de guide d'ondes (22) et une couche barrière (20) agencée pour confiner la lumière vers une région de la couche de guide d'ondes, la formation de l'ou des parties de dispositif optique comprenant : la formation d'au moins une tranchée (14) dans le substrat (12); déposer la couche barrière (20) dans l'ou les tranchées (14); déposer la couche de guide d'ondes (22) sur la couche de barrière (20), et planariser le substrat (12).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)