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1. (WO2018065537) CAPTEUR
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N° de publication : WO/2018/065537 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/075395
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 05.10.2017
CIB :
H01L 25/16 (2006.01) ,H01L 33/44 (2010.01) ,H01L 33/48 (2010.01) ,H01L 33/62 (2010.01) ,H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/58 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
16
les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux H01L27/-H01L51/129
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
44
caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
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Éléments de mise en forme du champ optique
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
BECKER, Dirk; DE
SPERL, Matthias; DE
Mandataire :
PATENTANWALTSKANZLEI WILHELM & BECK; Prinzenstr. 13 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2016 118 990.106.10.2016DE
Titre (EN) SENSOR
(FR) CAPTEUR
(DE) SENSOR
Abrégé :
(EN) The invention relates to a sensor. Said sensor comprises a circuit board and at least one semiconductor chip on the circuit board. The semiconductor chip has a front contact and is in the form of a radiation-detecting semiconductor chip. The sensor further comprises an embedding layer which is arranged on the circuit board and laterally adjoins the at least one semiconductor chip. The sensor also comprises a contact layer which is joined to the front contact of the at least one semiconductor chip. The invention additionally relates to a method for manufacturing sensors.
(FR) L'invention concerne un capteur. Le capteur comprend une carte de circuit imprimé et au moins une puce semiconductrice disposée sur la carte de circuit imprimé. La puce semiconductrice présente un contact frontal. En outre, la puce semiconductrice est une puce semiconductrice à détection de rayonnement. Le capteur présente également une couche d’enrobage qui est disposée sur la carte de circuit imprimé et qui, latéralement, est adjacente à l’au moins une puce semiconductrice. De plus, le capteur présente une couche de contact qui est liée au contact frontal de l’au moins une puce semiconductrice. L’invention concerne efin un procédé de fabrication de capteurs.
(DE) Die Erfindung betrifft einen Sensor. Der Sensor weist eine Leiterplatte und wenigstens einen auf der Leiterplatte angeordneten Halbleiterchip auf. Der Halbleiterchip weist einen Vorderseitenkontakt auf. Auch ist der Halbleiterchip ein strahlungsdetektierender Halbleiterchip. Der Sensor weist des Weitereneine auf der Leiterplatte angeordnete Einbettungsschicht auf, welche seitlich an den wenigstens einen Halbleiterchip angrenzt. Der Sensorweist fernereine Kontaktschicht auf, welche mit dem Vorderseitenkontakt des wenigstens einen Halbleiterchips verbunden ist. Die Erfindung betrifft des Weiterenein Verfahren zum Herstellen von Sensoren.
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)