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1. (WO2018065483) CIRCUIT ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE
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N° de publication : WO/2018/065483 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/075247
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 04.10.2017
CIB :
H01L 23/488 (2006.01) ,H01L 23/373 (2006.01) ,H01L 21/48 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488
formées de structures soudées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36
Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
373
Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
48
Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326218
Déposants :
CONTINENTAL AUTOMOTIVE GMBH [DE/DE]; Vahrenwalder Straße 9 30165 Hannover, DE
Inventeurs :
MATTMANN, Erich; DE
BERGMANN, Sabine; DE
Données relatives à la priorité :
10 2016 219 565.407.10.2016DE
Titre (EN) POWER ELECTRONICS CIRCUIT
(FR) CIRCUIT ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE
(DE) LEISTUNGSELEKTRONIKSCHALTUNG
Abrégé :
(EN) A power electronics circuit (L) is equipped with a carrier (1+2a+2b) having a surface (O). At least one power component (4) (in particular a semiconductor component present for example as a packaged or unpackaged chip) is soldered on the carrier (1+2a+2b) by means of a continuous solder layer (3). The solder layer (3) comprises spacer particles (3a) and solder compound (3b). The spacer particles (3a) are distributed in the solder compound (3b). The solder layer (3) has a thickness that is at least 100 µm. The thickness reduces the shear stresses in the solder layer (3) that arise as a result of different thermal expansion of the carrier (1+2a+2b) and of the power component (4). This results in lower loading in the case of temperature changes in comparison with thinner solder layers, as a result of which the reliability of the solder connection is increased. Particularly in the case of a cold-gas-sprayed surface (O), a relatively high roughness results, such that a thickness of the solder layer (3) of at least 100 µm leads to a height structure having a positive effect for the benefit of the lifetime.
(FR) L'invention concerne un circuit électronique de puissance (L) muni d'un support (1+2a+2b) qui présente une surface (O). Sur le support (1+2a+2b) est brasé au moyen d'une couche de brasure continue (3) au moins un composant de puissance (4) (en particulier un composant semi-conducteur présent sous la forme d'une puce encapsulée ou non encapsulée). La couche de brasure (3) présente des particules d'écartement (33a) et une matière de brasage (3b). Les particules d'écartement (3a) sont réparties dans la matière de brasage (3b). La couche de brasure (3) présente une épaisseur d'au moins 100 µm. Cette épaisseur permet de réduire dans la couche de brasure (3) les contraintes de cisaillement qui sont produites par la différence entre la dilatation thermique du support (1+2a+2b) et celle du composant de puissance (4). On obtient ainsi par rapport à des couches de brasure plus minces une moindre contrainte en cas de variation de la température, et donc une augmentation de la fiabilité de l'assemblage par brasage On obtient en particulier pour des surfaces (O) pulvérisées à froid une rugosité relativement élevée, de sorte qu'une épaisseur de la couche de brasure (3) d'au moins 100 µm se traduit par une structure en hauteur qui a des effets positifs sur la durée de vie.
(DE) Eine Leistungselektronikschaltung (L) ist mit einem Träger (1+2a +2b) ausgestattet, der eine Oberfläche (O) aufweist. Auf dem Träger (1+2a+2b) ist mindestens ein Leistungsbauteil (4) (insbesondere ein Halbleiterbauteil, das beispielsweise als gehäuster oder ungehäuster Chip vorliegt) mittels einer durchgehenden Lotschicht (3) aufgelötet. Die Lotschicht (3) weist Abstandspartikel (3a) und Lotmasse (3b) auf. Die Abstandspartikel (3a) sind in der Lotmasse (3b) verteilt. Die Lotschicht (3) weist eine Dicke auf, die mindestens 100 μm beträgt. Durch die Dicke werden die Schubspannungen in der Lotschicht (3) verringert, die durch unterschiedliche Temperaturausdehnung des Trägers (1+2a+2b) und des Leistungsbauteils (4) entstehen. Es ergibt sich eine geringere Beanspruchung bei Temperaturwechseln im Vergleich zu dünneren Lotschichten, wodurch die Zuverlässigkeit der Lotverbindung erhöht ist. Insbesondere bei einer kaltgasgespritzen Oberfläche (O) ergibt sich eine relativ hohe Rauigkeit, so dass eine Dicke der Lotschicht (3) von mindestens 100 µm zu einem Höhenaufbau führt, der sich positiv zu Gunsten der Lebensdauer auswirkt.
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)