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1. (WO2018065379) PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION DE L'IMPÉDANCE THERMIQUE D'UNE COUCHE DE FRITTAGE ET SYSTÈME DE MESURE
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N° de publication :    WO/2018/065379    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/075008
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 02.10.2017
CIB :
H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : AGILE POWER SWITCH 3D - INTEGRATION [FR/FR]; 67 Bis boulevard Pierre Renaudet 65000 Tarbes (FR).
IRT SAINT EXUPERY (AESE) [FR/FR]; B 612 3, rue Tarfaya - CS 34436 31405 Toulouse CEDEX 4 (FR).
ECOLE NATIONALE D'INGENIEURS DE TARBES [FR/FR]; P.O. Box BP 1629 47 Avenue d'AZEREIX 65 016 TARBES Cedex (FR)
Inventeurs : FAVRE, Jacques Pierre Henri; (FR).
REYNES, Jean-Michel Francis; (FR).
RIVA, Raphaël; (FR).
VIDAL, Paul-Etienne Joseph; (FR).
TRAJIN, Baptiste Louis Jean; (FR)
Mandataire : DELTAPATENTS B.V.; Fellenoord 370 5611 ZL Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
16306318.3 06.10.2016 EP
Titre (EN) A METHOD OF DETERMINING THERMAL IMPEDANCE OF A SINTERING LAYER AND A MEASUREMENT SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION DE L'IMPÉDANCE THERMIQUE D'UNE COUCHE DE FRITTAGE ET SYSTÈME DE MESURE
Abrégé : front page image
(EN)A method of determining a sintering thermal impedance of a sintering layer (25) comprising: providing a substrate (20) having a predetermined substrate thermal impedance, disposing the sintering layer (25) on the substrate (20) forming with the sintering layer (25) a stack,placing at least one semiconductor die (30) comprising a semiconductor element (40) with at least two element electrodes (45; 47) on the sintering layer (25), injecting an electrical current through the at least two element electrodes (45; 47) for measuring a temperature sensitive parameter of the semiconductor element (40),heating the stack with a predetermined heat power, determining, while sintering, a semiconductor element temperature from the measured temperature sensitive parameter, measuring a stack temperature,determining a stack thermal impedance by subtracting the semiconductor element temperature from the stack temperature and dividing by the predetermined heat power, and subtracting the predetermined substrate thermal impedance from the stack thermal impedance.
(FR)La présente invention concerne un procédé de détermination d'une impédance thermique de frittage d'une couche de frittage (25) comprenant : la fourniture d'un substrat (20) ayant une impédance thermique de substrat prédéterminée, la disposition de la couche de frittage (25) sur le substrat (20) formant avec la couche de frittage (25) un empilement, le positionnement d'au moins une puce semi-conductrice (30) comprenant un élément semi-conducteur (40) avec au moins deux électrodes élémentaires (45, 47) sur la couche de frittage (25), l'injection d'un courant électrique à travers lesdites électrodes élémentaires (45, 47) pour mesurer un paramètre sensible à la température de l'élément semi-conducteur (40), le chauffage de l'empilement avec une puissance thermique prédéterminée, la détermination, pendant le frittage, d'une température d'élément semi-conducteur à partir du paramètre sensible à la température mesurée, la mesure d'une température de l'empilement, la détermination d'une impédance thermique d'empilement par soustraction de la température d'élément semi-conducteur de la température d'empilement et division par la puissance thermique prédéterminée, et la soustraction de l'impédance thermique de substrat prédéterminée de l'impédance thermique d'empilement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)