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1. (WO2018065289) CONDENSATEUR FILM A TRES HAUTE CAPACITE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/065289 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/074619
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 28.09.2017
CIB :
H01G 4/30 (2006.01) ,H01G 4/015 (2006.01) ,H01G 4/14 (2006.01) ,H01G 4/32 (2006.01) ,H01G 4/06 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
4
Condensateurs fixes; Procédés pour leur fabrication
30
Condensateurs à empilement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
4
Condensateurs fixes; Procédés pour leur fabrication
002
Détails
005
Electrodes
015
Dispositions particulières pour l'autorégénération
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
4
Condensateurs fixes; Procédés pour leur fabrication
002
Détails
018
Diélectriques
06
Diélectriques solides
14
Diélectriques organiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
4
Condensateurs fixes; Procédés pour leur fabrication
32
Condensateurs enroulés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
4
Condensateurs fixes; Procédés pour leur fabrication
002
Détails
018
Diélectriques
06
Diélectriques solides
Déposants :
BLUE SOLUTIONS [FR/FR]; ODET 29500 ERGUE GABERIC, FR
Inventeurs :
DEPOND, Jean-Michel; FR
Mandataire :
REGIMBEAU; Parc d'Affaires Cap Nord A 2 allée Marie Berhaut CS 71104 35011 RENNES CEDEX, FR
Données relatives à la priorité :
165948903.10.2016FR
Titre (EN) VERY HIGH CAPACITANCE FILM CAPACITOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF SAME
(FR) CONDENSATEUR FILM A TRES HAUTE CAPACITE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) The present invention relates in particular to a very high capacitance film capacitor (1) that comprises a dielectric layer (100) consisting of at least one dielectric film (100a,..., 100i), each dielectric film (100a,..., 100i) of this dielectric layer (100) having the following parameters: - a relative dielectric permittivity [εf i] such that εf i ≥ 10, - a thickness [ef i] such that 0.05 µm ≤ ef i ≤ 50 µm, - a dielectric strength [Ef i] such that Ef i ≥ 50 V/µm, parameters in which "f" signifies "film" and i ≥ 1, "i" designating the "ith" dielectric film (100i) of said dielectric layer (100), this dielectric layer (100) separating a first electronic charge carrier structure (200) from a second electronic charge carrier structure (300), these two structures having an opposite surface (S) separated by the dielectric layer(100).
(FR) La présente invention se rapporte notamment à un condenseur film à très haute capacité(1)qui comporte une couche diélectrique (100)constituée d'au moins un film diélectrique (100a,..., 100i), chaque film diélectrique(100a,..., 100i) de cette couche diélectrique (100) présentant les paramètres suivants: -une permittivité diélectrique relative [ε fi ] telle que ε fi ≥ 10, -une épaisseur [e fi ] telle que 0.05µm ≤ e fi ≤ 50 µm, -une rigidité diélectrique [E fi ]telle que E fi ≥ 50 V/µm, paramètres dans lesquels "f" signifie "film" et i ≥ 1, "i" désignant le "i ème " film diélectrique (100i) de ladite couche diélectrique (100), cette couche diélectrique (100) séparant une première structure porteuse de charges électroniques (200) d'une deuxième structure porteuse de charges électroniques(300), ces deux structures ayant une surface en regard(S) séparée par la couche diélectrique (100).
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)