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1. (WO2018065232) DISPOSITIF ACTIONNEUR BASÉ SUR UN POLYMÈRE ÉLECTROACTIF
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N° de publication :    WO/2018/065232    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/073972
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 22.09.2017
CIB :
H01L 41/04 (2006.01), F03G 7/00 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS N.V. [NL/NL]; High Tech Campus 5 5656 AE Eindhoven (NL)
Inventeurs : JOHNSON, Mark, Thomas; (NL).
FISH, David, Andrew; (NL)
Mandataire : MARSMAN, Albert, Willem; (NL).
DE HAAN, Poul, Erik; (NL)
Données relatives à la priorité :
16192121.8 04.10.2016 EP
Titre (EN) ACTUATOR DEVICE BASED ON AN ELECTROACTIVE POLYMER
(FR) DISPOSITIF ACTIONNEUR BASÉ SUR UN POLYMÈRE ÉLECTROACTIF
Abrégé : front page image
(EN)An actuator device comprises an active matrix array of rows and columns of electroactive polymer actuators, each electroactive polymer actuator having a switching circuit. The switching circuit has a drive transistor and a capacitor arrangement. The capacitor arrangement is charged to a voltage derived from a drive voltage for the electroactive polymer actuator combined with a voltage derived from the drive transistor threshold voltage. During this programming of the capacitor arrangement, the EAP actuator is isolated from any current flowing. The switching circuit enables compensation for age- related changes in the threshold voltage. Thus, a low performance (i.e. with poor threshold voltage stability) transistor may be used, with measurement of the threshold voltage of the current-providing TFT once per frame time (or once per multiple frame times) to compensate for the aging effect.
(FR)L'invention concerne un dispositif actionneur qui comprend un réseau de matrices actives de rangées et de colonnes d'actionneurs polymères électroactifs, chaque actionneur polymère électroactif ayant un circuit de commutation. Le circuit de commutation comprend un transistor d'attaque et un agencement de condensateur. L'agencement de condensateur est chargé à une tension dérivée d'une tension d'attaque pour l'actionneur polymère électroactif combinée à une tension dérivée de la tension de seuil du transistor d'attaque. Pendant cette programmation de l'agencement de condensateur, l'actionneur EAP est isolé de tout courant circulant. Le circuit de commutation permet la compensation des changements liés à l'âge dans la tension de seuil. Ainsi, une faible performance de transistor (c'est-à-dire avec un faible stabilité de tension de seuil) peut être utilisée, avec mesure de la tension de seuil du TFT de fourniture de courant une fois par temps de trame (ou une fois par temps de trame multiples) pour compenser l'effet de vieillissement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)