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1. (WO2018065180) SYSTÈME D’EXPOSITION PAR PROJECTION POUR LITHOGRAPHIE À SEMI-CONDUCTEUR AVEC DÉFORMATION THERMIQUE RÉDUITE
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N° de publication : WO/2018/065180 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/072982
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 13.09.2017
CIB :
G03F 7/20 (2006.01) ,G02B 7/18 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
7
Montures, moyens de réglage ou raccords étanches à la lumière pour éléments optiques
18
pour prismes; pour miroirs
Déposants :
CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen, DE
Inventeurs :
BIEG, Hermann; DE
Mandataire :
RAUNECKER, Klaus, Peter; DE
Données relatives à la priorité :
10 2016 219 357.006.10.2016DE
Titre (EN) PROJECTION EXPOSURE SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR LITHOGRAPHY WITH REDUCED THERMAL DEFORMATION
(FR) SYSTÈME D’EXPOSITION PAR PROJECTION POUR LITHOGRAPHIE À SEMI-CONDUCTEUR AVEC DÉFORMATION THERMIQUE RÉDUITE
(DE) PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE FÜR DIE HALBLEITERLITHOGRAPHIE MIT REDUZIERTER THERMISCHER DEFORMATION
Abrégé :
(EN) The invention relates to a projection exposure system for semiconductor lithography comprising a mirror arrangement that is subjected to thermal stress during operation. The mirror arrangement comprises a mirror carrier (23) having an optically active surface (25) that is arranged on a cover surface (24) of the mirror carrier (23). For cooling, a cooling system (30) is provided, integrated in the mirror carrier (23) and having cooling lines (31) through which a coolant circulates. The cooling system (30) is configured in such a way that the optically active surface (25) can discharge thermal stress introduced into the mirror carrier (23) at least partially into a rear region (26) of the mirror carrier (23) facing away from the cover surface (24). In addition, the cooling system (30, 60) comprises: an inlet region (32, 62) adjacent to the cover surface (24, 54) of the mirror carrier (23, 53) and having a coolant supply line (35, 65); an outlet region (33, 63) arranged at a distance to the cover surface (24, 54) of the mirror carrier (23, 53) and having a coolant discharge (36, 66); and one or more connection lines (34, 64) connecting the inlet region (32, 62) with the outlet region (33, 63), wherein the connection lines (34, 64) are configured in such a way that they act in a throttling manner on the coolant flow between the inlet region (32, 62) and the outlet region (33, 63).
(FR) L’invention concerne un système d’exposition par projection, destiné à la lithographie à semi-conducteur, comprenant un agencement de miroirs qui est soumis à des contraintes thermiques pendant le fonctionnement. Les agencements de miroirs comprennent un support de miroirs (23) pourvu d’une surface optiquement active (25) qui est disposée sur une surface de recouvrement (24) du support de miroirs (23). Pour effectuer le refroidissement, il est prévu un système de refroidissement (30) intégré dans le support de miroirs (23) et comportant des conduits de refroidissement (31) dans lesquels circule un fluide de refroidissement. Le système de refroidissement (30) est conçu de telle sorte que la surface optiquement active (25) peut dévier une charge thermique, injectée dans le support de miroirs (23), au moins partiellement jusque dans une zone arrière, opposée à la surface de recouvrement (24), du support de miroirs. Selon l’invention, le système de refroidissement (30, 60) comprend - une zone d’entrée (32, 62) adjacente à la surface de recouvrement (24, 54) du support de miroirs (23, 53) et munie d’un conduit d’alimentation en fluide de refroidissement (35, 65), - une zone de sortie (33, 63) placée à distance de la surface de recouvrement (24, 54) du support de miroirs (23, 53) et munie d’un conduit d’évacuation de fluide de refroidissement (36, 66) et - un ou plusieurs conduits de raccordement (34, 64) raccordant la zone d’entrée (32, 62) à la zone de sortie (33, 63). Les conduits de raccordement (34, 64) sont conçus de manière à restreindre l’écoulement de fluide de refroidissement entre la zone d’entrée (32, 62) et la zone de sortie (33, 63).
(DE) Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit einer Spiegelanordnung, die im Betrieb thermischen Belastungen ausgesetzt ist. Die Spiegelanordnungen umfasst einen Spiegelträger (23) mit einer optisch aktiven Fläche (25), welche auf einer Deckfläche (24) des Spiegelträgers (23) angeordnet ist. Zur Kühlung ist ein in den Spiegelträger (23) integriertes Kühlsystem (30) mit Kühlleitungen (31 ) vorgesehen, durch die ein Kühlfluid zirkuliert. Das Kühlsystem (30) ist in einer solchen Weise gestaltet, dass die optisch aktive Fläche (25) in den Spiegelträger (23) eingeleitete thermische Last zumindest teilweise in einen einer der Deckfläche (24) abgewandten rückwärtigen Bereich (26) des Spiegelträgers (23) ableitbar ist. Dabei umfasst das Kühlsystem (30, 60) - einen der Deckfläche (24, 54) des Spiegelträgers (23, 53) benachbarten Einlassbereich (32, 62) mit einer Kühlfluid-Zuleitung (35, 65), - einen der Deckfläche (24, 54) des Spiegelträgers (23, 53) beabstandet angeordneten Auslassbereich (33, 63) mit einer Kühlfluid-Ableitung (36, 66) - und eine oder mehrere den Einlassbereich (32, 62) mit dem Auslassbereich (33, 63) verbindenden Verbindungsleitungen (34, 64), wobei die Verbindungsleitungen (34, 64) in einer solchen Weise gestaltet sind, dass sie für den Kühlmittelfluss zwischen Einlassbereich (32, 62) und Auslassbereich drosselnd (33, 63) wirken.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)