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1. (WO2018064984) PROCÉDÉ D'ÉLIMINATION DE DIOXYDE DE SILICIUM D'UNE TRANCHE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CIRCUIT INTÉGRÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/064984    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/105369
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 09.10.2017
CIB :
H01L 21/311 (2006.01)
Déposants : BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO., LTD. [CN/CN]; No. 8 Wenchang Avenue Beijing Economic-Technological Development Area Beijing 100176 (CN)
Inventeurs : MA, Zhenguo; (CN)
Mandataire : TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; ZHANG, Tianshu 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005 (CN)
Données relatives à la priorité :
201610879096.2 08.10.2016 CN
Titre (EN) METHOD FOR REMOVING SILICON DIOXIDE FROM WAFER AND MANUFACTURING PROCESS FOR INTEGRATED CIRCUIT
(FR) PROCÉDÉ D'ÉLIMINATION DE DIOXYDE DE SILICIUM D'UNE TRANCHE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CIRCUIT INTÉGRÉ
(ZH) 去除晶片上的二氧化硅的方法及集成电路制造工艺
Abrégé : front page image
(EN)A method for removing silicon dioxide from a wafer and a manufacturing method. The method can comprise: introducing a dehydrated hydrogen fluoride gas and a dehydrated alcohol gas into a process chamber (201); mixing the dehydrated hydrogen fluoride gas and the dehydrated alcohol gas to generate a gaseous etchant (202); allowing the etchant to react with the wafer within the process chamber, and keeping the process chamber interior in a high pressure condition to increase etching selection ratio (203); and extracting the reaction product from the process chamber (204). The method for removing silicon dioxide from a wafer removes silicon dioxide in a high selection ratio and a high efficiency by means of allowing the gaseous etchant to directly react with the silicon dioxide under high pressure, and extracting the reaction product after the reaction.
(FR)L'invention concerne un procédé d'élimination de dioxyde de silicium d'une tranche et un procédé de fabrication. Le procédé peut consister à : introduire un gaz de fluorure d'hydrogène déshydraté et d'un gaz d'alcool déshydraté dans une chambre de traitement (201) ; mélanger le gaz de fluorure d'hydrogène déshydraté et le gaz d'alcool déshydraté pour générer un agent de gravure gazeux (202) ; permettre à l'agent de gravure de réagir avec la tranche à l'intérieur de la chambre de traitement, et maintenir l'intérieur de la chambre de traitement dans une condition de haute pression pour augmenter le rapport de sélection de gravure (203) ; et extraire le produit de réaction de la chambre de traitement (204). Le procédé d'élimination de dioxyde de silicium d'une tranche élimine le dioxyde de silicium dans un rapport de sélection élevé et un rendement élevé en autorisant la réaction directe de l'agent de gravure gazeux avec le dioxyde de silicium sous haute pression, et en extrayant le produit de réaction après la réaction.
(ZH)一种去除晶片上的二氧化硅的方法及制造工艺。该方法可包括:向工艺腔室内通入脱水的氟化氢气体和脱水的醇类气体(201);使所述脱水的氟化氢气体和脱水的醇类气体混合,生成气态的刻蚀剂(202);使所述刻蚀剂与所述工艺腔室内的晶片反应,并使所述工艺腔室内保持高压状态以提高刻蚀选择比(203);以及将所述反应生成物从所述工艺腔室内抽出(204)。所述去除晶片上的二氧化硅的方法通过使气态的刻蚀剂在高压力下与二氧化硅直接反应,并在反应后将反应产物抽出,实现高选择比、高效率地去除二氧化硅。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)