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1. (WO2018064869) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE POINTS QUANTIQUES
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N° de publication : WO/2018/064869 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/113894
Date de publication : 12.04.2018 Date de dépôt international : 30.12.2016
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,B82Y 30/00 (2011.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82
NANOTECHNOLOGIE
Y
UTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
30
Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
Déposants :
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 SUZHOU INSTITUTE OF NANO-TECH AND NANO-BIONICS (SINANO), CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; 中国江苏省苏州市 苏州工业园区若水路398号 No. 398 Ruoshui Road SEID, Suzhou Industrial Park Suzhou, Jiangsu 215123, CN
Inventeurs :
张子旸 ZHANG, Ziyang; CN
黄荣 HUANG, Rong; CN
黄源清 HUANG, Yuanqing; CN
Mandataire :
深圳市铭粤知识产权代理有限公司 MING & YUE INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; 中国广东省深圳市南山区南山街道前海路泛海城市广场2栋604室 Room 604 Building 2, Oceanwide City Square, Qianhai Road, Nanshan Street, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518066, CN
Données relatives à la priorité :
201610876764.608.10.2016CN
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING QUANTUM DOT STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE POINTS QUANTIQUES
(ZH) 一种量子点结构的制作方法
Abrégé :
(EN) A method for fabricating a quantum dot structure (10), comprising: preparing a quantum dot film layer (2a) on a substrate (1); preparing a first protective film (31) on the quantum dot film layer (2a); preparing a patterned array (4) on the first protective film (31); preparing a second protective film (32) on the first protective film (31) and the patterned array (4) to obtain an intermediate (10a); annealing the intermediate (10a), and obtaining a quantum dot structure (10) on the substrate (1). The method uses the patterned array (4) as a template which is used for selecting a region annealing process to fabricate an ordered quantum dot structure (10); and a subsequent heat treatment process is also used, which, on the one hand, may prevent damage to a surface of the substrate (1), thus improving performance of the quantum dot structure (10), and, on the other hand, may effectively control the density and position of quantum dots such that the obtained quantum dot structure (10) has superior performance when applied in a quantum dot device.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure de points quantiques (10), comprenant : la préparation d'une couche de film de points quantiques (2a) sur un substrat (1); préparer un premier film de protection (31) sur la couche de film de points quantiques (2a); préparer un réseau à motifs (4) sur le premier film de protection (31); préparer un second film de protection (32) sur le premier film de protection (31) et le réseau à motifs (4) pour obtenir un intermédiaire (10a); recuire l'intermédiaire (10a), et obtenir une structure de points quantiques (10) sur le substrat (1). Le procédé utilise le réseau à motifs (4) comme modèle qui est utilisé pour sélectionner un processus de recuit de région pour fabriquer une structure de points quantiques ordonnés (10); et un processus de traitement thermique ultérieur est également utilisé, qui, d'une part, peut empêcher un endommagement d'une surface du substrat (1), ce qui permet d'améliorer les performances de la structure de points quantiques (10), et d'autre part, peut commander efficacement la densité et la position de points quantiques de telle sorte que la structure de points quantiques (10) obtenue présente une performance supérieure lorsqu'elle est appliquée dans un dispositif à points quantiques.
(ZH) 一种量子点结构(10)的制作方法,包括:在衬底(1)上制备量子点膜层(2a);在所述量子点膜层(2a)上制备第一保护膜(31);在所述第一保护膜(31)上制备图形化阵列(4);在所述第一保护膜(31)及所述图形化阵列(4)上制备第二保护膜(32),获得中间体(10a);对所述中间体(10a)进行退火处理,在所述衬底(1)上获得量子点结构(10)。上述方法以图形化阵列(4)作为模板,利用模板选择区域退火工艺来制作有序的量子点结构(10),并采用后续热处理工艺,一方面避免对衬底(1)的表面造成损伤,提高量子点结构(10)的性能;另一方面,可有效控制量子点密度及位置,使所获得的量子点结构(10)应用于量子点器件时,性能更为优越。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)