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1. (WO2018064666) PINCE ACTIVE DE POMPE DE CHARGE DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES POUR APPLICATIONS À FAIBLE FUITE
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N° de publication : WO/2018/064666 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054754
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 02.10.2017
CIB :
H02H 9/04 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
H
CIRCUITS DE PROTECTION DE SÉCURITÉ
9
Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion
04
sensibles à un excès de tension
Déposants :
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474, US
TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED [JP/JP]; 24-1, Nishi-Shinjuku 6-chome Shinjuku-ku, Tokyo 160-8366, JP (JP)
Inventeurs :
DI SARRO, James, P.; US
FARBIZ, Farzan; US
Mandataire :
DAVIS, Jr., Michael A.; US
CHAN, Daniel, T.; US
Données relatives à la priorité :
15/281,37930.09.2016US
Titre (EN) ESD PROTECTION CHARGE PUMP ACTIVE CLAMP FOR LOW-LEAKAGE APPLICATIONS
(FR) PINCE ACTIVE DE POMPE DE CHARGE DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES POUR APPLICATIONS À FAIBLE FUITE
Abrégé :
(EN) Described examples include an electrostatic discharge (ESD) protection circuit (100) including a shunt transistor (MN0) coupled between first and second power supply nodes (106, 108), a sensing circuit (105) to deliver a control voltage signal (VG) to turn on the shunt transistor (MN0) in response to a detected change in a voltage (VDD) of the first power supply node (106) resulting from an ESD stress event, and a charge pump circuit (104) to boost the control voltage signal (VG) in response to the control voltage signal (VG) turning the shunt transistor (MN0) on.
(FR) Des exemples selon l'invention comprennent un circuit de protection contre les décharges électrostatiques (100) comprenant un transistor shunt (MN0) couplé entre des premier et second nœuds d'alimentation électrique (106, 108), un circuit de détection (105) destiné à délivrer un signal de tension de commande (VG) pour allumer le transistor shunt (MN0) en réponse à un changement détecté de tension (VDD) du premier nœud d'alimentation électrique (106) résultant d'un événement de contrainte de protection contre les décharges électrostatiques, et un circuit de pompe de charge (104) destiné à amplifier le signal de tension de commande (VG) en réponse au signal de tension de commande (VG) allumant le transistor shunt (MN0).
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)