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1. (WO2018064467) SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE PRÉDICTION DE DISTORSION INDUITE PAR UN PROCESSUS PENDANT UN DÉPÔT DE TRANCHE
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N° de publication : WO/2018/064467 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054279
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 21/66 (2006.01) ,H01L 21/67 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
Déposants :
KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035, US
Inventeurs :
LEVY, Ady; US
SMITH, Mark D.; US
Mandataire :
MCANDREWS, Kevin; US
MORRIS, Elizabeth M. N.; US
Données relatives à la priorité :
15/707,92718.09.2017US
62/402,21330.09.2016US
Titre (EN) SYSTEM AND METHOD FOR PROCESS-INDUCED DISTORTION PREDICTION DURING WAFER DEPOSITION
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE PRÉDICTION DE DISTORSION INDUITE PAR UN PROCESSUS PENDANT UN DÉPÔT DE TRANCHE
Abrégé :
(EN) A system is disclosed. The system includes a tool cluster. The tool cluster includes a first deposition tool configured to deposit a first layer on a wafer. The tool cluster additionally includes an interferometer tool configured to obtain one or more measurements of the wafer. The tool cluster additionally includes a second deposition tool configured to deposit a second layer on the wafer. The tool cluster additionally includes a vacuum assembly. One or more correctables configured to adjust at least one of the first deposition tool or the second deposition tool are determined based on the one or more measurements. The one or more measurements are obtained between the deposition of the first layer and the deposition of the second layer without breaking the vacuum generated by the vacuum assembly.
(FR) La présente invention concerne un système. Le système comprend un groupe d'outils. L'ensemble d'outils comprend un premier outil de dépôt configuré pour déposer une première couche sur une tranche. L'ensemble d'outils comprend en outre un interféromètre configuré pour obtenir une ou plusieurs mesures de la tranche. L'ensemble d'outils comprend en outre un second outil de dépôt configuré pour déposer une seconde couche sur la tranche. L'ensemble d'outils comprend en outre un ensemble sous vide. Une ou plusieurs correctifs conçus pour régler au moins l'un du premier outil de dépôt ou du second outil de dépôt sont déterminés sur la base de la ou des mesures. La ou les mesures sont obtenues entre le dépôt de la première couche et le dépôt de la seconde couche sans rompre le vide généré par l'ensemble sous vide.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)