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1. (WO2018064458) MAPPAGE TRIDIMENSIONNEL D'UNE TRANCHE
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N° de publication : WO/2018/064458 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054264
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 21/66 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
Déposants :
KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035, US
Inventeurs :
IMMER, Vincent; IL
ITTAH, Naomi; IL
MARCIANO, Tal; IL
Mandataire :
MCANDREWS, Kevin; US
MORRIS, Elizabeth M. N.; US
Données relatives à la priorité :
15/281,17530.09.2016US
Titre (EN) THREE DIMENSIONAL MAPPING OF A WAFER
(FR) MAPPAGE TRIDIMENSIONNEL D'UNE TRANCHE
Abrégé :
(EN) Methods and scatterometry overlay metrology tools are provided, which scan a wafer region, perform focus measurements during the scanning to extract therefrom phase information, and derive depth data of the scanned wafer region from the extracted phase information. The depth information, relating to a dimension perpendicular to the wafer, may be derived along lines or surfaces, providing profilometry and surface data, respectively. The depth data may be used to locate metrology targets, as well as to provide material properties concerning wafer layers, to estimate process variation and to improve the overlay measurements.
(FR) L'invention concerne des procédés et des outils de métrologie de superposition par diffusiométrie, qui balayent une région de tranche, réalisent des mesures de mise au point pendant le balayage pour en extraire des informations de phase, et dériver des données de profondeur de la région de tranche balayée à partir des informations de phase extraites. Les informations de profondeur, relatives à une dimension perpendiculaire à la tranche, peuvent être dérivées le long de lignes ou de surfaces, fournissant respectivement des données de profilométrie et de surface. Les données de profondeur peuvent être utilisées pour localiser des cibles de métrologie, ainsi que pour fournir des propriétés de matériau concernant des couches de tranche, pour estimer une variation de processus et pour améliorer les mesures de superposition.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)