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1. (WO2018064391) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE TRAITEMENT AU PLASMA ATMOSPHÉRIQUE POUR LA FABRICATION DE PIÈCES MICROÉLECTRONIQUES
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N° de publication : WO/2018/064391 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054119
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 28.09.2017
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32
Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
Déposants :
TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo,107-6325, JP
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC. [US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, Texas 78741, US (JP)
Inventeurs :
DEVILLIERS, Anton J.; US
VUKOVIC, Mirko; US
BYRNS, Brandon; US
Mandataire :
MASON, J., Derek; US
Données relatives à la priorité :
62/402,60630.09.2016US
Titre (EN) ATMOSPHERIC PLASMA PROCESSING SYSTEMS AND METHODS FOR MANUFACTURE OF MICROELECTRONIC WORKPIECES
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE TRAITEMENT AU PLASMA ATMOSPHÉRIQUE POUR LA FABRICATION DE PIÈCES MICROÉLECTRONIQUES
Abrégé :
(EN) Systems and related methods are disclosed for atmospheric plasma processing of microelectronic workpieces, such as semiconductor wafers. For disclosed embodiments, a radio frequency (RF) generator generates an RF signal that is distributed to one or more plasma sources within a process chamber. The process chamber has an atmospheric pressure between 350 to 4000 Torr. The plasma sources are then scanned across a microelectronic workpiece to apply plasma gasses generated by the plasma generators to the microelectronic workpiece. The plasma sources can be individually scanned and/or combined in arrays for scanning across the microelectronic workpiece. Linear and/or angular movement can be applied to the plasma sources and/or the microelectronic workpiece to provide the scanning operation. Various implementations are disclosed.
(FR) L'invention concerne des systèmes et des procédés associés pour le traitement au plasma atmosphérique de pièces microélectroniques, telles que des galettes en semiconducteur. Dans des modes de réalisation selon l'invention, un générateur de radiofréquences (RF) génère un signal RF qui est distribué à une ou plusieurs sources de plasma à l'intérieur d'une chambre de traitement. La chambre de traitement présente une pression atmosphérique comprise entre 350 et 4000 Torr. Les sources de plasma sont ensuite balayées à travers une pièce microélectronique pour appliquer des gaz plasma générés par les générateurs de plasma à la pièce microélectronique. Les sources de plasma peuvent être balayées individuellement et/ou combinées en réseaux pour un balayage à travers la pièce microélectronique. Un mouvement linéaire et/ou angulaire peut être appliqué aux sources de plasma et/ou à la pièce microélectronique pour réaliser l'opération de balayage. L'invention concerne également divers modes de réalisation.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)