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1. (WO2018063967) LINGOTS DE SILICIUM MONOCRISTALLIN AYANT DES RÉGIONS AXIALES DOPÉES PRÉSENTANT UNE RÉSISTIVITÉ DIFFÉRENTE ET PROCÉDÉS DE PRODUCTION DE TELS LINGOTS
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N° de publication : WO/2018/063967 N° de la demande internationale : PCT/US2017/053199
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 25.09.2017
CIB :
C30B 15/00 (2006.01) ,C30B 15/04 (2006.01) ,C30B 15/12 (2006.01) ,C30B 29/06 (2006.01)
[IPC code unknown for C30B 15][IPC code unknown for C30B 15/04][IPC code unknown for C30B 15/12][IPC code unknown for C30B 29/06]
Déposants :
CORNER STAR LIMITED [CN/CN]; International Commerce Centre 1 Austin Road West Unit 1703B-1706, Level 17 Kowloon, HK
Inventeurs :
BASAK, Soubir; US
ZEPEDA, Salvador; US
Mandataire :
SCHUTH, Richard A.; US
VANDER MOLEN, Michael J.; US
MUNSELL, Michael G.; US
POLAND, Eric G.; US
KEPPEL, Nicholas A.; US
ALLEN, Derick E.; US
AMODIO, Lucas M.; US
ATKINS, Bruce T.; US
BEULICK, John S.; US
BLOCK, Zachary J.; US
BRENNAN, Patrick E.; US
BRIDGE, Richard L.; US
BROPHY, Richard L.; US
COYLE, Patrick J.; US
FITZGERALD, Daniel M.; US
FLOREK, Erin M.; US
GOFF, Christopher M.; US
HARPER, James D.; US
HARPER, Jesse S.; US
HEINEN JR., James M.; US
HENSON, James W.; US
HILMERT, Laura J.; US
HOEKEL, Jennifer E.; US
LONGMEYER, Michael H.; US
MUELLER, Jacob R.; US
RASCHE, Patrick W.; US
REESER III, Robert B.; US
SLATER, Brian T.; US
SMELCER, Paul L.; US
SNIDER, Josh C.; US
SOOTER, Miranda M.; US
THOMAS, Mark A.; US
VANVLIET, David S.; US
WULLER, Adam R.; US
ZEE-CHENG, Brendan R.; US
ZYCHLEWICZ, William J.; US
MCCAY, Michael G.; US
MOLLER-JACOBS, Rose L.; US
VANENGELEN, Catherine E.; US
BUTLER, Christopher H.; US
SCHNIEDERS, Kelley A.; US
TRUITT, Tracey S.; US
INACAY, Brian D.; US
Données relatives à la priorité :
62/401,03028.09.2016US
Titre (EN) SINGLE CRYSTAL SILICON INGOTS HAVING DOPED AXIAL REGIONS WITH DIFFERENT RESISTIVITY AND METHODS FOR PRODUCING SUCH INGOTS
(FR) LINGOTS DE SILICIUM MONOCRISTALLIN AYANT DES RÉGIONS AXIALES DOPÉES PRÉSENTANT UNE RÉSISTIVITÉ DIFFÉRENTE ET PROCÉDÉS DE PRODUCTION DE TELS LINGOTS
Abrégé :
(EN) Methods for producing single crystal ingots having doped axial resistivity regions with different resistivities and methods for producing such ingots are disclosed. In some embodiments, first and second target resistivities are determined for first and second doped axial regions. The melt is contacted with a seed crystal and pulled away from the melt to grow a single crystal ingot having the first and second doped axial regions. The addition of dopant to the melt is controlled such that the first doped axial region has the first target resistivity and the second doped axial region has the second target resistivity.
(FR) L'invention concerne des procédés de production de lingots monocristallins ayant des régions de résistivité axiale dopées présentant des résistivités différentes et des procédés de production de tels lingots. Selon certains modes de réalisation, des première et seconde résistivités cibles sont déterminées pour des première et seconde régions axiales dopées. La masse fondue est mise en contact avec un germe cristallin et ce dernier est tiré de la masse fondue pour faire croître un unique lingot monocristallin ayant les première et seconde régions axiales dopées. L'ajout de dopant à la masse fondue est régulée de telle sorte que la première région axiale dopée présente la première résistivité cible et que la seconde région axiale dopée présente la seconde résistivité cible.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)