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1. (WO2018063918) RECUIT À HAUTE TEMPÉRATURE DANS LA FABRICATION D'UNE SOURCE DE RAYONS X
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N° de publication :    WO/2018/063918    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/052789
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 21.09.2017
CIB :
H01J 35/08 (2006.01)
Déposants : GENERAL ELECTRIC COMPANY [US/US]; 1 River Road Schenectady, NY 12345 (US)
Inventeurs : LIANG, Yong; (US).
ROBINSON, Vance, Scott; (US)
Mandataire : POLLANDER, Laura, L.; (US).
DIMAURO, Peter, T.; (US).
WINTER, Catherine, J.; (US).
MIDGLEY, Stephen, G.; (US).
GNIBUS, Michael, M.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/280,701 29.09.2016 US
Titre (EN) HIGH TEMPERATURE ANNEALING IN X-RAY SOURCE FABRICATION
(FR) RECUIT À HAUTE TEMPÉRATURE DANS LA FABRICATION D'UNE SOURCE DE RAYONS X
Abrégé : front page image
(EN)The present disclosure relates to multi-layer X-ray sources having decreased hydrogen within the layer stack and/or tungsten carbide inter-layers between the primary layers of X-ray generating and thermally-conductive materials. The resulting multi-layer target structures allow increased X-ray production, which may facilitate faster scan times for inspection or examination procedures.
(FR)La présente invention concerne des sources de rayons X multicouches ayant une teneur réduite en hydrogène à l'intérieur de l'empilement de couches et/ou des couches intermédiaires de carbure de tungstène entre les couches primaires de matériaux générant des rayons X et des matériaux thermiquement conducteurs. Les structures cibles multicouches résultantes permettent une production accrue de rayons X, ce qui peut faciliter des temps de balayage plus rapides pour des procédures d'inspection ou d'examen.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)