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1. (WO2018063804) FORMATION À BASSE TEMPÉRATURE DE FILMS D'OXYDE DE SILICIUM DE HAUTE QUALITÉ DANS LA FABRICATION DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/063804    International Application No.:    PCT/US2017/051393
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Sep 14 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/02
H01L 21/324
C23C 16/455
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION
Inventors: MCLAUGHLIN, Kevin M.
PHARKYA, Amit
REDDY, Kapu Sirish
Title: FORMATION À BASSE TEMPÉRATURE DE FILMS D'OXYDE DE SILICIUM DE HAUTE QUALITÉ DANS LA FABRICATION DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
La couche d'oxyde de silicium est déposée sur un substrat semi-conducteur par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) à une température inférieure à environ 200 °C et est traitée avec un plasma d'hélium pour réduire la contrainte de la couche déposée sur une valeur absolue inférieure à environ 80 MPa. Le traitement au plasma réduit la teneur en hydrogène dans la couche d'oxyde de silicium, et conduit à des films à faible contrainte qui peuvent également avoir une densité élevée et une faible rugosité. Selon certains modes de réalisation, le film est déposé sur un substrat semi-conducteur qui contient une ou plusieurs couches sensibles à la température, telles que des couches de matériau organique ou de diélectrique par rotation qui ne peuvent pas résister à des températures supérieures à 250 °C. Selon certains modes de réalisation, le film d'oxyde de silicium est déposé sur une épaisseur comprise entre environ 100 et 200 Å, et est utilisé en tant que couche de masque dur pendant la gravure d'autres couches sur un substrat semi-conducteur.