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1. (WO2018063804) FORMATION À BASSE TEMPÉRATURE DE FILMS D'OXYDE DE SILICIUM DE HAUTE QUALITÉ DANS LA FABRICATION DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/063804    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/051393
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 13.09.2017
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, California 94538 (US)
Inventeurs : MCLAUGHLIN, Kevin M.; (US).
PHARKYA, Amit; (US).
REDDY, Kapu Sirish; (US)
Mandataire : GAVRILOVA, Anna L.; (US).
AUSTIN, James E.; (US).
SAMPSON, Roger S.; (US).
VILLENEUVE, Joseph M.; (US).
WEAVER, Jeffrey K.; (US).
SCHOLZ, Christian D.; (US).
BERGIN, Denise S.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/280,049 29.09.2016 US
Titre (EN) LOW TEMPERATURE FORMATION OF HIGH QUALITY SILICON OXIDE FILMS IN SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING
(FR) FORMATION À BASSE TEMPÉRATURE DE FILMS D'OXYDE DE SILICIUM DE HAUTE QUALITÉ DANS LA FABRICATION DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)Silicon oxide layer is deposited on a semiconductor substrate by PECVD at a temperature of less than about 200 °C and is treated with helium plasma to reduce stress of the deposited layer to an absolute value of less than about 80 MPa. Plasma treatment reduces hydrogen content in the silicon oxide layer, and leads to low stress films that can also have high density and low roughness. In some embodiments, the film is deposited on a semiconductor substrate that contains one or more temperature-sensitive layers, such as layers of organic material or spin-on dielectric that cannot withstand temperatures of greater than 250 °C. In some embodiments the silicon oxide film is deposited to a thickness of between about 100 - 200 Å, and is used as a hardmask layer during etching of other layers on a semiconductor substrate.
(FR)La couche d'oxyde de silicium est déposée sur un substrat semi-conducteur par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) à une température inférieure à environ 200 °C et est traitée avec un plasma d'hélium pour réduire la contrainte de la couche déposée sur une valeur absolue inférieure à environ 80 MPa. Le traitement au plasma réduit la teneur en hydrogène dans la couche d'oxyde de silicium, et conduit à des films à faible contrainte qui peuvent également avoir une densité élevée et une faible rugosité. Selon certains modes de réalisation, le film est déposé sur un substrat semi-conducteur qui contient une ou plusieurs couches sensibles à la température, telles que des couches de matériau organique ou de diélectrique par rotation qui ne peuvent pas résister à des températures supérieures à 250 °C. Selon certains modes de réalisation, le film d'oxyde de silicium est déposé sur une épaisseur comprise entre environ 100 et 200 Å, et est utilisé en tant que couche de masque dur pendant la gravure d'autres couches sur un substrat semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)