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1. (WO2018063715) CIRCUITS D'ATTAQUE À RÉSISTANCE AUX ATTAQUES PAR ÉMISSION DE PHOTONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/063715    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/049386
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.08.2017
CIB :
H01L 27/092 (2006.01), H01L 21/04 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : MATTHEW, Sanu K.; (US).
SATPATHY, Sudhir K; (US).
SURESH, Vikram B; (US).
KOEBERL, Patrick; (DE)
Mandataire : PERDOK, Monique M.; (US).
ARORA, Suneel, Reg. No. 42,267;; (US).
BEEKMAN, Marvin L., Reg. No. 38,377; (US).
BIANCHI, Timothy E., Reg. No. 39,610; (US).
BLACK, David W., Reg. No. 42,331; (US).
GOULD, James R., Reg. No. 72,086; (US).
MCCRACKIN, Ann M., Reg. No. 42,858;; (US).
SCHEER, Bradley W., Reg. No. 47,059; (US).
WOO, Justin N., Reg. No. 62,686; (US)
Données relatives à la priorité :
15/277,195 27.09.2016 US
Titre (EN) PHOTON EMISSION ATTACK RESISTANCE DRIVER CIRCUITS
(FR) CIRCUITS D'ATTAQUE À RÉSISTANCE AUX ATTAQUES PAR ÉMISSION DE PHOTONS
Abrégé : front page image
(EN)Some embodiments include apparatuses having diffusion regions located adjacent each other in a substrate, and connections coupled to the diffusion regions. The diffusion regions include first diffusion regions, second diffusion regions, and third diffusion regions. One of the second diffusion regions and one of the third diffusion regions are between two of the first diffusion regions. One of the first diffusion regions and one of the third diffusion regions are between two of the second diffusion regions. The connections include a first connection coupled to each of the first diffusion regions, a second connection coupled to each of the second diffusion regions, and a third connection coupled to each of the third diffusion regions.
(FR)Selon certains modes de réalisation, l'invention concerne des appareils comportant des zones de diffusion situées adjacentes les unes aux autres dans un substrat, et des connexions couplées aux zones de diffusion. Les zones de diffusion comprennent des premières zones de diffusion, des deuxièmes zones de diffusion et des troisièmes zones de diffusion. L'une des deuxièmes zones de diffusion et l'une des troisièmes zones de diffusion se trouvent entre deux des premières zones de diffusion. L'une des premières zones de diffusion et l'une des troisièmes zones de diffusion se trouvent entre deux des deuxièmes zones de diffusion. Les connexions comprennent une première connexion couplée à chacune des premières zones de diffusion, une deuxième connexion couplée à chacune des deuxièmes zones de diffusion, et une troisième connexion couplée à chacune des troisièmes zones de diffusion.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)