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1. (WO2018063715) CIRCUITS D'ATTAQUE À RÉSISTANCE AUX ATTAQUES PAR ÉMISSION DE PHOTONS
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N° de publication : WO/2018/063715 N° de la demande internationale : PCT/US2017/049386
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.08.2017
CIB :
H01L 27/092 (2006.01) ,H01L 21/04 (2006.01) ,H01L 21/8238 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
08
comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
085
comprenant uniquement des composants à effet de champ
088
les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
092
Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8238
Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
MATTHEW, Sanu K.; US
SATPATHY, Sudhir K; US
SURESH, Vikram B; US
KOEBERL, Patrick; DE
Mandataire :
PERDOK, Monique M.; US
ARORA, Suneel, Reg. No. 42,267;; US
BEEKMAN, Marvin L., Reg. No. 38,377; US
BIANCHI, Timothy E., Reg. No. 39,610; US
BLACK, David W., Reg. No. 42,331; US
GOULD, James R., Reg. No. 72,086; US
MCCRACKIN, Ann M., Reg. No. 42,858;; US
SCHEER, Bradley W., Reg. No. 47,059; US
WOO, Justin N., Reg. No. 62,686; US
Données relatives à la priorité :
15/277,19527.09.2016US
Titre (EN) PHOTON EMISSION ATTACK RESISTANCE DRIVER CIRCUITS
(FR) CIRCUITS D'ATTAQUE À RÉSISTANCE AUX ATTAQUES PAR ÉMISSION DE PHOTONS
Abrégé :
(EN) Some embodiments include apparatuses having diffusion regions located adjacent each other in a substrate, and connections coupled to the diffusion regions. The diffusion regions include first diffusion regions, second diffusion regions, and third diffusion regions. One of the second diffusion regions and one of the third diffusion regions are between two of the first diffusion regions. One of the first diffusion regions and one of the third diffusion regions are between two of the second diffusion regions. The connections include a first connection coupled to each of the first diffusion regions, a second connection coupled to each of the second diffusion regions, and a third connection coupled to each of the third diffusion regions.
(FR) Selon certains modes de réalisation, l'invention concerne des appareils comportant des zones de diffusion situées adjacentes les unes aux autres dans un substrat, et des connexions couplées aux zones de diffusion. Les zones de diffusion comprennent des premières zones de diffusion, des deuxièmes zones de diffusion et des troisièmes zones de diffusion. L'une des deuxièmes zones de diffusion et l'une des troisièmes zones de diffusion se trouvent entre deux des premières zones de diffusion. L'une des premières zones de diffusion et l'une des troisièmes zones de diffusion se trouvent entre deux des deuxièmes zones de diffusion. Les connexions comprennent une première connexion couplée à chacune des premières zones de diffusion, une deuxième connexion couplée à chacune des deuxièmes zones de diffusion, et une troisième connexion couplée à chacune des troisièmes zones de diffusion.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)