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1. (WO2018063697) DÉCALAGE DE DÉCLENCHEMENT DE RAFRAÎCHISSEMENT DANS UN GROUPE DE DISPOSITIFS DE MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/063697    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/049315
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.08.2017
CIB :
G11C 11/406 (2006.01), G11C 11/4076 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; Intel Corporation 2200 Mission College Blvd Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : TOMISHIMA, Shigeki; (US).
HALBERT, John; (US).
BAINS, Kuljit; (US)
Mandataire : ANDERSON, Vincent; (US).
ALDOUS, Alan; (US).
FLEMING, Caroline; (US)
Données relatives à la priorité :
15/282,766 30.09.2016 US
Titre (EN) STAGGERING INITIATION OF REFRESH IN A GROUP OF MEMORY DEVICES
(FR) DÉCALAGE DE DÉCLENCHEMENT DE RAFRAÎCHISSEMENT DANS UN GROUPE DE DISPOSITIFS DE MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)Memory refresh includes timing offsets for different memory devices, to initiate refresh of different memory devices at different times. A memory controller sends a refresh command to cause refresh of multiple memory devices. In response to the refresh command, the multiple memory devices initiate refresh with timing offsets relative to another of the memory devices. The timing offsets reduce the instantaneous power surge associated with all memory devices starting refresh simultaneously.
(FR)L'invention concerne le rafraîchissement de mémoire comprenant des décalages de synchronisation pour différents dispositifs de mémoire, destinés à déclencher le rafraîchissement de différents dispositifs de mémoire à différents moments. Un contrôleur de mémoire envoie une commande de rafraîchissement pour provoquer le rafraîchissement de multiples dispositifs de mémoire. En réponse à la commande de rafraîchissement, les multiples dispositifs de mémoire déclenchent un rafraîchissement avec des décalages de synchronisation par rapport à un autre des dispositifs de mémoire. Les décalages de synchronisation réduisent la surtension instantanée associée à tous les dispositifs de mémoire commençant le rafraîchissement simultanément.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)