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1. (WO2018063655) BLINDAGE ÉLECTROMAGNÉTIQUE DE BOÎTIER DE DISPOSITIF MICROÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2018/063655 N° de la demande internationale : PCT/US2017/049012
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 29.08.2017
CIB :
H01L 23/60 (2006.01) ,H01L 23/485 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58
Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
60
Protection contre les charges ou les décharges électrostatiques, p.ex. écrans Faraday
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
482
formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
485
formées de structures en couches comprenant des couches conductrices et isolantes, p.ex. contacts planaires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
LIM, Min Suet; MY
GOH, Eng Huat; MY
YONG, Khang Choong; MY
KOH, Boon Ping; MY
SONG, Wil Choon; MY
Mandataire :
PERDOK, Monique M.; US
BLACK, David W., Reg. No. 42,331; US
BEEKMAN, Marvin L., Reg. No. 38,377; US
ARORA, Suneel, Reg. No. 42,267; US
BIANCHI, Timothy E., Reg. No. 39,610; US
WOO, Justin N., Reg. No. 62,686; US
MCCRACKIN, Ann M., Reg. No. 42,858; US
GOULD, James R., Reg. No. 72,086; US
SCHEER, Bradley W., Reg. No. 47,059; US
Données relatives à la priorité :
15/282,48130.09.2016US
Titre (EN) MICROELECTRONIC DEVICE PACKAGE ELECTROMAGNETIC SHIELD
(FR) BLINDAGE ÉLECTROMAGNÉTIQUE DE BOÎTIER DE DISPOSITIF MICROÉLECTRONIQUE
Abrégé :
(EN) Microelectronic devices including an electromagnetic shield over a desired portion of a substrate. The magnetic shield is formed of conductive particles within a selectively curable layer, such as a solder resist material. After application to the substrate, the conductive particles are allowed to settle to form a conductive structure to serve as an electromagnetic shield. The electromagnetic shield can be formed primarily over regions of the substrate containing conductive traces coupled in the package to communicate signals presenting a risk of causing electromagnetic interference with other devices.
(FR) Des dispositifs microélectroniques comprennent un blindage électromagnétique sur une partie souhaitée d'un substrat. Le blindage magnétique est formé de particules conductrices à l'intérieur d'une couche sélectivement durcissable, telle qu'un matériau de réserve de soudure. Après application sur le substrat, les particules conductrices peuvent se déposer pour former une structure conductrice pour servir de blindage électromagnétique. Le blindage électromagnétique peut être formé principalement sur des régions du substrat contenant des traces conductrices couplées dans le boîtier pour communiquer des signaux présentant un risque de provoquer une interférence électromagnétique avec d'autres dispositifs.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)