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1. (WO2018063446) CELLULE DE MÉMOIRE RÉSISTIVE À ACCÈS ALÉATOIRE AVEC TROIS TRANSISTORS ET DEUX ÉLÉMENTS DE MÉMOIRE RÉSISTIFS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/063446    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/031795
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 09.05.2017
CIB :
G11C 13/00 (2006.01)
Déposants : MICROSEMI SOC CORP. [US/US]; 3870 North First Street San Jose, California 95134 (US)
Inventeurs : MCCOLLUM, John, L.; (US).
HECHT, Volker; (DE)
Mandataire : D'ALESSANDRO, Kenneth; (US).
KAHN, Simon; (IL).
GLASS, Kenneth; (US)
Données relatives à la priorité :
62/401,875 29.09.2016 US
15/375,036 09.12.2016 US
Titre (EN) RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CELL WITH THREE TRANSISTORS AND TWO RESISTIVE MEMORY ELEMENTS
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE RÉSISTIVE À ACCÈS ALÉATOIRE AVEC TROIS TRANSISTORS ET DEUX ÉLÉMENTS DE MÉMOIRE RÉSISTIFS
Abrégé : front page image
(EN)A ReRAM cell array has rows and columns and includes first and second complementary bit lines for each row, a first, second and third word lines for each column and a source bit line for each row. A ReRAM cell at each row and column includes a first resistive memory element, its first end connected to the first complementary bit line of its row, a p-channel transistor, its source connected to a second end of the first resistive memory element, its drain connected to a switch node, its gate connected to the first word line of its column, a second resistive memory element, its first end connected to the second complementary bit line of its row, an n-channel transistor, its source connected to a second end of the second resistive memory element, its drain connected to the switch node, its gate connected to the second word line of its column, and a programming transistor having a drain connected to the switch node, a source connected to the source bit line of its row and a gate connected to the third word line of its column.
(FR)L'invention concerne un réseau de cellules de ReRAM ayant des rangées et des colonnes et comprenant des première et seconde lignes de bits complémentaires pour chaque rangée, des première, deuxième et troisième lignes de mots pour chaque colonne et une ligne de bits de source pour chaque rangée. Une cellule de ReRAM au niveau de chaque rangée et colonne comprend un premier élément de mémoire résistif, sa première extrémité étant reliée à la première ligne de bits complémentaire de sa rangée, un transistor à canal p, sa source étant reliée à une seconde extrémité du premier élément de mémoire résistif, son drain étant relié à un nœud de commutation, sa grille étant reliée à la première ligne de mots de sa colonne, un second élément de mémoire résistif, sa première extrémité étant reliée à la seconde ligne de bits complémentaire de sa rangée, un transistor à canal n, sa source étant reliée à une seconde extrémité du second élément de mémoire résistif, son drain étant relié au nœud de commutation, sa grille étant reliée à la seconde ligne de mots de sa colonne, et un transistor de programmation ayant un drain relié au nœud de commutation, une source reliée à la ligne de bits de source de sa rangée et une grille reliée à la troisième ligne de mots de sa colonne.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)