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1. (WO2018063408) DIODE P-I-N ET DISPOSITIF DU GROUPE III-N CONNECTÉ ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/063408 N° de la demande internationale : PCT/US2016/055039
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H01L 29/868 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
86
commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861
Diodes
868
Diodes PIN
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
THEN, Han Wui; US
DASGUPTA, Sansaptak; US
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
Mandataire :
BRASK, Justin, K.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) P-I-N DIODE AND CONNECTED GROUP III-N DEVICE AND THEIR METHODS OF FABRICATION
(FR) DIODE P-I-N ET DISPOSITIF DU GROUPE III-N CONNECTÉ ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) A P-i-N diode structure includes a group III-N semiconductor material disposed on a substrate. An n-doped raised drain structure is disposed on the group III-N semiconductor material. An intrinsic group III-N semiconductor material is disposed on the n-doped raised drain structure. A p-doped group III-N semiconductor material is disposed on the intrinsic group III-N semiconductor material. A first electrode is connected to the p-doped group III-N semiconductor material. A second electrode is electrically coupled to the n-doped raised drain structure. In an embodiment, a group III-N transistor is electrically coupled to the P-i-N diode. In an embodiment, a group III-N transistor is electrically isolated from the P-i-N diode. In an embodiment, a gate electrode and an n-doped raised drain structure are electrically coupled to the n-doped raised drain structure and the second electrode of the P-i-N diode to form the group III-N transistor.
(FR) Une structure de diode P-i-N comprend un matériau semi-conducteur du groupe III-N disposé sur un substrat. Une structure de drain surélevée dopée n est disposée sur le matériau semi-conducteur du groupe III-N. Un matériau semi-conducteur du groupe III-N intrinsèque est disposé sur la structure de drain surélevé dopée n. Un matériau semi-conducteur du groupe III-N dopé p est disposé sur le matériau semi-conducteur du groupe III-N intrinsèque. Une première électrode est connectée au matériau semi-conducteur du groupe III-N dopé p. Une seconde électrode est électriquement couplée à la structure de drain surélevé dopée n. Dans un mode de réalisation, un transistor du groupe III-N est couplé électriquement à la diode P-i-N. Dans un mode de réalisation, un transistor du groupe III-N est électriquement isolé de la diode P-i-N. Dans un mode de réalisation, une électrode de grille et une structure de drain surélevée dopée n sont couplées électriquement à la structure de drain surélevée dopée n et la seconde électrode de la diode P-i-n pour former le transistor du groupe III-N.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)