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1. (WO2018063407) DOPAGE DE TRANSISTOR RÉTROGRADE PAR DES MATÉRIAUX D'HÉTÉROJONCTION

Pub. No.:    WO/2018/063407    International Application No.:    PCT/US2016/055034
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Oct 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/167
H01L 29/43
H01L 21/8238
H01L 29/49
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: KEYS, Patrick H.
KAM, Hei
MEHANDRU, Rishabh
BUDREVICH, Aaron A.
Title: DOPAGE DE TRANSISTOR RÉTROGRADE PAR DES MATÉRIAUX D'HÉTÉROJONCTION
Abstract:
Un transistor comprend un empilement de grille et une source et un drain sur des côtés opposés de l'empilement de grille; et un premier matériau et un second matériau sur le substrat, le premier matériau disposé entre le substrat et le second matériau et le canal du transistor étant défini dans le second matériau entre la source et le drain, le premier matériau et le second matériau comprenant chacun un implant et l'implant comprenant une plus grande solubilité dans le premier matériau que dans le second matériau. Un procédé de formation d'une structure de circuit intégré comprend la formation d'un premier matériau sur un substrat; la formation d'un second matériau sur le premier matériau; l'introduction d'un implant dans le second matériau, l'implant comprenant une plus grande solubilité dans le premier matériau que dans le second matériau; à recuire le substrat; et à former un transistor sur le substrat, le transistor comprenant un canal comprenant le second matériau.