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1. (WO2018063405) DISPOSITIFS MICROÉLECTRONIQUES ET PROCÉDÉS D'AMÉLIORATION DES PERFORMANCES DE FIABILITÉ D'INTERCONNEXION À L'AIDE D'UNE COUCHE BARRIÈRE DE NICKEL IN SITU

Pub. No.:    WO/2018/063405    International Application No.:    PCT/US2016/055031
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Oct 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/768
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: ZELL, Zachary A.
GOWRISHANKAR, Shravan
HUSSAIN, A H M Shahadat
BURK, Jonathan J.
SATTIRAJU, Seshu V.
Title: DISPOSITIFS MICROÉLECTRONIQUES ET PROCÉDÉS D'AMÉLIORATION DES PERFORMANCES DE FIABILITÉ D'INTERCONNEXION À L'AIDE D'UNE COUCHE BARRIÈRE DE NICKEL IN SITU
Abstract:
Des modes de réalisation de l'invention comprennent un dispositif microélectronique qui comprend un matériau diélectrique de couche qui comprend un élément doté d'une dépression. Une couche barrière de nickel est formée dans la dépression de l'élément et une première couche conductrice est formée dans la dépression de l'élément. Le dispositif microélectronique peut éventuellement comprendre une seconde couche conductrice formée au-dessous de la dépression de l'élément.