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1. (WO2018063394) GRILLE À APPAUVRISSEMENT DANS UNE ARCHITECTURE À BASE DE FINFET ULTRAMINCE

Pub. No.:    WO/2018/063394    International Application No.:    PCT/US2016/055004
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Oct 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/78
H01L 29/66
H01L 29/417
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: JAN, Chia-Hong
HAFEZ, Walid M.
CHANG, Hsu-Yu
DIAS, Neville L.
RAMASWAMY, Rahul
OLAC-VAW, Roman W.
LEE, Chen-Guan
Title: GRILLE À APPAUVRISSEMENT DANS UNE ARCHITECTURE À BASE DE FINFET ULTRAMINCE
Abstract:
Un dispositif de transistor comprend un transistor comprenant un corps disposé sur un substrat, un empilement de grille en contact avec au moins deux côtés adjacents du corps et une source ainsi qu'un drain sur des côtés opposés de l'empilement de grille et un canal défini dans le corps entre la source et le drain, la conductivité du canal étant similaire à la conductivité de la source et du drain. Un circuit d'entrée/sortie (E/S) comprend un circuit d'attaque couplé au circuit logique, le circuit d'attaque comprenant au moins un dispositif de transistor. Un procédé consiste à former un canal d'un dispositif de transistor sur un substrat comprenant une conductivité électrique ; à former une source et un drain sur des côtés opposés du canal, la source et le drain comprenant la même conductivité électrique que le canal ; et à former un empilement de grille sur le canal.